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A. | 0 | B. | πRBI | C. | 2πRBI | D. | 2RBI |
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A. | 10 W | B. | 11 W | C. | 12 W | D. | 14 W |
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A. | 僅減小磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度 | B. | 僅減小狹縫間的距離 | ||
C. | 僅增大高頻交流電壓 | D. | 僅增大金屬盒的半徑 |
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A. | a、b兩點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度相同 | B. | c、d兩點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度相同 | ||
C. | a點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度最大 | D. | b點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度最大 |
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A. | 質(zhì)點(diǎn)一定帶正電 | |
B. | 質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)受到的電場(chǎng)力大于在Q點(diǎn)的電場(chǎng)力 | |
C. | 質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時(shí)動(dòng)能較大 | |
D. | 質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時(shí)電勢(shì)能較大 |
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A. | a點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于b點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng),a點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn)電勢(shì) | |
B. | a點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于b點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng),a點(diǎn)電勢(shì)低于b點(diǎn)電勢(shì) | |
C. | a、b兩點(diǎn)間的電勢(shì)差等于c、d兩點(diǎn)間的電勢(shì)差 | |
D. | a、b兩點(diǎn)間的電勢(shì)差小于c、d兩點(diǎn)間的電勢(shì)差 |
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