22.如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域.磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.方向垂直紙面向外.abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框.總電阻值為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運(yùn)動過程中.線框ab.cd兩邊始終與磁場邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場的位置x=0.x軸沿水平方向向右.求: (1)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí).ab兩端的電勢差.并指明哪端電勢高, (2)線框穿過磁場的過程中.線框中產(chǎn)生的焦耳熱, (3)在下面的乙圖中.畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象.其中U0 = BLv. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖甲所示,空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運(yùn)動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.

在下面的乙圖中,畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象(其中U0=BLv).

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如圖甲所示,空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運(yùn)動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.

在下面的乙圖中,畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象(其中U0=BLv).

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如圖甲所示,空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運(yùn)動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.

在下面的乙圖中,畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象(其中U0=BLv).

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如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外.abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻值為R.線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域.在運(yùn)動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右。求:

   (1)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí),ab兩端的電勢差,并指明哪端電勢高;

   (2)線框穿過磁場的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;

   (3)在下面的乙圖中,畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象。其中U0 = BLv。

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如圖甲所示.空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面外,abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻為R.線框以垂直磁場邊界的速度勻速通過磁場區(qū)域.在運(yùn)動過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行.設(shè)線框剛進(jìn)入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右.求:

1.從cd邊進(jìn)入磁場到ab邊進(jìn)入磁場的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;

2.在下面的圖乙中,畫出cd兩端電勢差Ucd隨距離x變化的圖像.其中.(不需要分析說明)

 

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