分析 先求出總電量,再用總量除以每個質子的帶電量,得出質子的總個數(shù);再用電流的微觀表示I=nesv來求出n1:n2.
解答 解:1S內打到靶上的質子所帶總電量為:q=1×10-3×1=1×10-3C
則質子個數(shù)為:n=$\frac{q}{e}$=$\frac{1×1{0}^{-3}}{1.6×10}$=6.25×1015
I1=n1ev1 I2=n2ev2
在L處與4L處的電流相等:I1=I2
故:n1ev1=n2ev2
得:$\frac{{n}_{1}}{{n}_{2}}=\frac{{v}_{2}}{{v}_{1}}$---------------(1)
由動能定理在L處有:EqL=$\frac{1}{2}$mv12
得:V1=$\sqrt{\frac{2Eql}{m}}$-------(2)
在L處 4EqL=$\frac{1}{2}$mV22
得:V2=$\sqrt{\frac{2Eq4l}{m}}$--------------(3)
由(1)(2)(3)式得:$\frac{{n}_{1}}{{n}_{2}}=\frac{2}{1}$
故答案為:6.25×1015個,2:1
點評 總電量=單一粒子子帶電量與總個數(shù)的積;電流的微觀表示的應用要注意靈活性;I=nesv 各量的物理意義要清楚.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0 | B. | $\sqrt{2}$F4 | C. | F4 | D. | 2F4 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:填空題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 如果是P型半導體,有φM>φN | |
B. | 如果是N型半導體,有φM<φN | |
C. | 如果是P型半導體,有φM<φN | |
D. | 不管是N型半導體還是P型半導體,φM與φN的大小關系相同 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0 | B. | 30N | C. | 60N | D. | 90N |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:填空題
點的次序 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
距離d/cm | 0 | 6.0 | 12.5 | 19.3 | 26.5 | 34.1 | 42.1 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 逐漸變小 | B. | 逐漸變大 | C. | 先變小后變大 | D. | 大小不變 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 1-$\frac9vx0g6f{R}$ | B. | (1+$\frac{h}{R}$)2 | C. | (1-$\fracb18pcy6{R}$)(1+$\frac{h}{R}$)2 | D. | (1+$\fracm23l1vh{R}$)(1-$\frac{h}{R}$)2 |
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com