A. | 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中ab邊所受安培力沿斜面向上 | |
B. | 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中可能做勻減速運(yùn)動(dòng) | |
C. | 線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定等于線框減少的機(jī)械能 | |
D. | 線框從不同高度釋放至完全進(jìn)入磁場(chǎng)過程中,通過導(dǎo)線橫截面的電量相等 |
分析 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中,ab邊所受的安培力沿斜面向上,阻礙其向下運(yùn)動(dòng),加速度在變化,做變速運(yùn)動(dòng).線框的機(jī)械能在減少轉(zhuǎn)化為內(nèi)能.根據(jù)公式q=$\frac{△Φ}{R}$研究電量.
解答 解:A、根據(jù)楞次定律可知:線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中ab邊所受安培力沿斜面向上,故A正確.
B、線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中可能做勻速運(yùn)動(dòng),也可能在做變速運(yùn)動(dòng),根據(jù)安培力隨速度的變化而變化,知合力在變化,加速度在變化,不可能做勻減速運(yùn)動(dòng).故B錯(cuò)誤.
C、根據(jù)功能關(guān)系可知線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定等于線框減少的機(jī)械能與摩擦生熱之差,故線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定小于線框減少的機(jī)械能,故C錯(cuò)誤.
D、線框從不同高度釋放至完全進(jìn)入磁場(chǎng)過程中,磁通量的變化相同,根據(jù)公式q=$\frac{△Φ}{R}$知通過導(dǎo)線橫截面的電量相等.故D正確.
故選:AD.
點(diǎn)評(píng) 解答這類電磁感應(yīng)問題的關(guān)鍵是正確分析安培力的變化,根據(jù)功能關(guān)系求解,這類問題是高中中的重點(diǎn)知識(shí),要加強(qiáng)練習(xí),不能松懈.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | t=2s時(shí)紅蠟塊是速度大小為0.3m/s | |
B. | 前3s內(nèi)紅蠟塊的位移大小為45$\sqrt{5}$cm | |
C. | 紅蠟塊的軌跡方程為y2=$\frac{9}{5}$x | |
D. | 紅蠟塊在上升過程中受到的合力是0.01N |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 實(shí)驗(yàn)所用的斜糟必須光滑 | |
B. | 實(shí)驗(yàn)所用的斜糟末端初切線必須水平 | |
C. | 實(shí)驗(yàn)時(shí)還能要使用秒表測(cè)出小球落地的時(shí)間 | |
D. | 為精確確定落點(diǎn)位置,應(yīng)讓小球從同一亮度多次下落,用盡可能小的圓將白紙上小球留下的痕跡圓在其內(nèi),其圓心就是小球的平均落點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 溫度越高,PM2.5的運(yùn)動(dòng)越劇烈 | |
B. | 若無空氣流動(dòng),PM2.5會(huì)很快沉降到地面 | |
C. | PM2.5的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)就是分子的熱運(yùn)動(dòng) | |
D. | PM2.5的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)反映了空氣分子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 第二次與第一次線圈中最大電流之比為2:1 | |
B. | 第二次與第一次外力做功的最大功率之比為2:1 | |
C. | 第二次全部進(jìn)入磁場(chǎng)和第一次全部進(jìn)入磁場(chǎng)線圈中產(chǎn)生的熱量之比為8:1 | |
D. | 第二次全部進(jìn)入磁場(chǎng)和第一次全部進(jìn)入磁場(chǎng),通過線圈中同一橫截面的電荷量之比為2:1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體的位置一旦確定,它的重力勢(shì)能的大小也隨之確定 | |
B. | 物體與參考平面的距離越大,它的重力勢(shì)能也越大 | |
C. | 一個(gè)物體的重力勢(shì)能從-5J變化到-3J,重力勢(shì)能減少了 | |
D. | 重力勢(shì)能的變化量與參考平面的選取無關(guān) |
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