A. | 通電導(dǎo)線受到的安培力,實(shí)質(zhì)上是導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)電荷受到洛侖茲力的宏觀表現(xiàn) | |
B. | 穿過閉合電路的磁場發(fā)生變化時(shí)電路中產(chǎn)生感應(yīng)電流,是因?yàn)樽兓艌鲈谥車a(chǎn)生了電場使電荷定向移動(dòng) | |
C. | 磁鐵周圍存在磁場,是因?yàn)榇盆F內(nèi)有取向雜亂的分子電流 | |
D. | 踢出去的足球最終要停下來,說明力是維持物體運(yùn)動(dòng)的原因 |
分析 安培力是洛倫茲力的宏觀表現(xiàn),安培力實(shí)質(zhì)是所受電荷所受洛倫茲力的合力;磁場發(fā)生變化,會(huì)產(chǎn)生電場,電荷在電場的作用下會(huì)發(fā)生定向移動(dòng);磁鐵周圍存在磁場,是因?yàn)榇盆F內(nèi)有取向基本一致的分子電流;物體的運(yùn)動(dòng)不需要力來維持,力是改變物體運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的原因.
解答 解:A、通電導(dǎo)線在磁場中會(huì)受到安培力,導(dǎo)體內(nèi)部的運(yùn)動(dòng)電荷在磁場中會(huì)受到洛倫茲力,安培力實(shí)質(zhì)上是導(dǎo)體內(nèi)部運(yùn)動(dòng)電荷受到的洛倫茲力的宏觀表現(xiàn).故A正確.
B、穿過閉合回路的磁場發(fā)生變化時(shí),產(chǎn)生感應(yīng)電流,是變化的磁場周圍產(chǎn)生電場,電荷在電場的作用下發(fā)生定向移動(dòng).故B正確.
C、磁鐵周圍存在磁場,是因?yàn)榇盆F內(nèi)分子電流的取向基本一致.故C錯(cuò)誤.
D、物體的運(yùn)動(dòng)不需要力來維持,踢出去的足球最終要停下來,說明力是改變物體運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的原因.故D錯(cuò)誤.
故選:AB.
點(diǎn)評 解決本題的關(guān)鍵知道安培力的實(shí)質(zhì)、閉合回路磁場發(fā)生變化時(shí),產(chǎn)生感應(yīng)電流的實(shí)質(zhì).知道物體的運(yùn)動(dòng)不需要力來維持.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 發(fā)電機(jī) | B. | 白熾燈泡 | C. | 電磁灶 | D. | 電吹風(fēng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體對斜面的壓力和斜面對物體的支持力是一對作用力和反作用力 | |
B. | 物體對斜面的摩擦力和斜面對物體的摩擦力是一對作用力和反作用力 | |
C. | 物體所受重力和斜面對物體的作用力是一對作用力和反作用力 | |
D. | 物體所受的重力可以分解為沿斜面向下的力和對斜面的壓力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電梯勻速下降 | B. | 物體由粗糙斜面頂端滑到斜面底端 | ||
C. | 物體沿著斜面勻速下滑 | D. | 人造衛(wèi)星繞地球做勻速圓周運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 甲圖:與點(diǎn)電荷等距的a、b兩點(diǎn) | |
B. | 乙圖:兩等量異種電荷連線的中垂線上與連線等距的a、b兩點(diǎn) | |
C. | 丙圖:點(diǎn)電荷與帶電平板形成的電場中離平板不遠(yuǎn)的a、b兩點(diǎn) | |
D. | 丁圖:勻強(qiáng)電場中的a、b兩點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一小段通電直導(dǎo)線,在磁場某處受的磁場力越大,該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度越大 | |
B. | 一小段通電直導(dǎo)線在磁場某處受的磁場力等于零,則該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度一定等于零 | |
C. | 一小段通電直導(dǎo)線在磁場某處受的磁場力的方向就是該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向 | |
D. | 磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義方法與電場強(qiáng)度相同,都是用比值法定義的物理量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | F=mgsinθ | B. | F=mgcosθ | C. | F=mgtanθ | D. | F=$\frac{mg}{tanθ}$ |
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