一絕緣“”形桿由兩段相互平行的足夠長的水平直桿PQ、MN和一半徑為R的光滑半圓環(huán)MAP組成,固定在豎直平面內(nèi),其中MN桿是光滑的,PQ桿是粗糙的,整個裝置處在水平向左的勻強電場中.在PM左側(cè)區(qū)域足夠大的范圍內(nèi)同時存在垂直豎直平面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B.現(xiàn)將一質(zhì)量為m、帶正電電量為q的小環(huán)套在MN桿上,小環(huán)所受的電場力為重力的.(已知重力加速度為g)
(1)若將小環(huán)由D點靜止釋放,則剛好能到達P點,求DM間的距離
(2)在滿足第一問的情況下,小環(huán)在A點對圓環(huán)的壓力
(3)若將小環(huán)由M點右側(cè)5R處靜止釋放,設(shè)小環(huán)與PQ桿間的動摩擦因數(shù)為μ,小環(huán)所受最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
解:(1)設(shè)電場強度為E,DM距離為L,對小環(huán)從D至P,由動能定理:
①(2分)
題意有 ②(1分)
結(jié)合得 L=4R ③(1分)
(2)設(shè)小環(huán)在A點速度為,對小環(huán)從D至A的過程,由動能定理:
④(2分)
由小環(huán)在A點的受力分析及牛頓第二定律得: ⑤(2分)
由④⑤式可得 ⑥(1分)
根據(jù)牛頓第三定律,小環(huán)在A點對圓環(huán)的壓力大小為,方向水平向左。(1分)
(3)小環(huán)首次到P點速度不為零,將向右運動,當(dāng)速度為零時,若滿足
(i),即(1分),小環(huán)將保持靜止。設(shè)此時小環(huán)距P點水平距離為,則對全程由動能定理:
⑦(2分)
則克服摩擦力做功 ⑧(1分)
(ii) ,即(1分),小環(huán)將來回往復(fù)運動,最終會在P點的速度減為零。對全程由動能定理: ⑨(2分)
得克服摩擦力做功 ⑩(1分)
【評分說明:第(1)問共4分;第(2)問共6分;第(3)問共8分;各式分?jǐn)?shù)如上。】
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大。
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源: 題型:
(10分)如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大小;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年遼寧省撫順市六校聯(lián)合體高三上期中考試物理試卷(解析版) 題型:計算題
)一絕緣“⊂”形桿由兩段相互平行的足夠長的水平直桿PQ、MN和一半徑為R的光滑半圓環(huán)MAP組成,固定在豎直平面內(nèi),其中MN桿是光滑的,PQ桿是粗糙的.現(xiàn)將一質(zhì)量為m的帶正電荷的小環(huán)套在MN桿上,小環(huán)所受的電場力為重力的.
(1)若將小環(huán)由D點靜止釋放,則剛好能到達P點,求DM間的距離;
(2)若將小環(huán)由M點右側(cè)5R處靜止釋放,設(shè)小環(huán)與PQ桿間的動摩擦因數(shù)為μ,小環(huán)所受最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年遼寧省丹東市四校協(xié)作體第二次聯(lián)考高三物理試卷 題型:計算題
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2012屆人教版高三物理磁場專項訓(xùn)練 題型:選擇題
(10分)如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大小;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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