)一絕緣“⊂”形桿由兩段相互平行的足夠長的水平直桿PQ、MN和一半徑為R的光滑半圓環(huán)MAP組成,固定在豎直平面內(nèi),其中MN桿是光滑的,PQ桿是粗糙的.現(xiàn)將一質(zhì)量為m的帶正電荷的小環(huán)套在MN桿上,小環(huán)所受的電場力為重力的.
(1)若將小環(huán)由D點靜止釋放,則剛好能到達P點,求DM間的距離;
(2)若將小環(huán)由M點右側(cè)5R處靜止釋放,設(shè)小環(huán)與PQ桿間的動摩擦因數(shù)為μ,小環(huán)所受最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
(1) DM間的距離j4R;(2)若μ≥,整個運動過程中克服摩擦力所做的功為
若μ<,克服摩擦力做功
【解析】
試題分析: (1)小球剛好到達P點時,速度為零,對小球從D點到P點過程,由動能定理得
qEx-2mgR=0-0
又由題意,
聯(lián)立解得,x=4R
若μ≥,則μmg≥qE.
設(shè)小球到達P點左側(cè)靜止,由動能定理得
qE(5R-)-mg•2R-f=0
又f=μN=μmg
聯(lián)立解得,
所以整個運動過程中克服摩擦力所做的功為
若μ<,則μmg<qE
小環(huán)經(jīng)過往復(fù)運動,最后在P點速度為0,
據(jù)動能定理qE·5R-mg·2R-W2=0
克服摩擦力做功
考點:動能定理的應(yīng)用;帶電粒子在勻強電場中的運動
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源: 題型:
(10分)如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大小;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年遼寧省丹東市四校協(xié)作體第二次聯(lián)考高三物理試卷 題型:計算題
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大。
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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科目:高中物理 來源:2012屆人教版高三物理磁場專項訓(xùn)練 題型:選擇題
(10分)如圖所示,在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、場強方向水平向左的勻強電場,在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣“⊂”形桿由兩段直桿和一半徑為R為半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN與水平面平行且足夠長,半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè),P、M點在磁場界線上,NMAP段是光滑的,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上,它所受到的電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán),小環(huán)剛好能到達P點,求:
(1)D、M間的距離x0;
(2)上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大小;
(3)若小環(huán)與PQ桿的動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功.
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