A. | 單位體積內(nèi)的分子數(shù)變少,單位時(shí)間內(nèi)對(duì)單位面積器壁碰撞的次數(shù)減少 | |
B. | 氣體分子的密集程度變小,分子對(duì)器壁的吸引力變小 | |
C. | 每個(gè)分子對(duì)器壁的平均撞擊力都變小 | |
D. | 氣體分子的密集程度變小,分子的運(yùn)動(dòng)變慢 |
分析 求解本題的關(guān)鍵是明確氣體壓強(qiáng)產(chǎn)生的機(jī)理,是由于無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)的氣體分子頻繁的碰撞器壁產(chǎn)生的,壓強(qiáng)的大小與溫度、體積有關(guān),符合統(tǒng)計(jì)規(guī)律.
解答 解:一定量氣體,在一定溫度下,分子的平均動(dòng)能不變,分子撞擊器壁的平均作用力不變;
氣體的體積增大時(shí),單位體積內(nèi)的分子數(shù)變少,氣體分子的密集程度降低,單位時(shí)間內(nèi)對(duì)器壁的碰撞次數(shù)減少,從而導(dǎo)致單位時(shí)間內(nèi)器壁單位面積上受到的壓力變小,故氣體產(chǎn)生的壓強(qiáng)減小,故A正確;
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 要熟記氣體壓強(qiáng)產(chǎn)生的機(jī)理:氣體壓強(qiáng)是由于大量的氣體分子頻繁的持續(xù)的碰撞器壁產(chǎn)生的,壓強(qiáng)的大小與分子的平均動(dòng)能、分子數(shù)密度有關(guān),分子平均動(dòng)能越大(宏觀溫度越高)、分子數(shù)密度越大(宏觀體積越。,氣體產(chǎn)生的壓強(qiáng)就越大,而不考慮分子間的相互作用力和分子的重力.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 靜電場(chǎng)中的電荷一定會(huì)受到靜電力的作用,磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)電荷一定會(huì)受到洛倫茲力作用 | |
B. | 靜電力一定會(huì)對(duì)電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)電荷做功,而洛倫茲力對(duì)磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)電荷則一定不做功 | |
C. | 靜電力方3磁感線方向平行向與電場(chǎng)線方向平行,洛倫茲力方向 | |
D. | 靜電力和洛倫茲力的大小均與電荷量大小成正比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 移至c 點(diǎn)時(shí),O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小仍為E,沿oe 方向 | |
B. | 移至b 點(diǎn)時(shí),O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{\sqrt{3}}{2}$E,沿oc 方向 | |
C. | 移至e 點(diǎn)時(shí),O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{E}{2}$,沿oc 方向 | |
D. | 移至f 點(diǎn)時(shí),O的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{\sqrt{3}}{2}$E,沿oe 方向 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 以速率2v0發(fā)射電子,重復(fù)實(shí)驗(yàn),O點(diǎn)可能處在暗條紋上 | |
B. | 以速率2v0發(fā)射電子,重復(fù)實(shí)驗(yàn),所形成的條紋間距會(huì)變小 | |
C. | 若將兩個(gè)狹縫沿垂直縫的方向移動(dòng)一段很小的距離(不改變狹縫和屏幕間的距離),重復(fù)實(shí)驗(yàn),如果屏幕上仍有間隔的條紋分布,則O點(diǎn)一定處在暗條紋上 | |
D. | 若將兩個(gè)狹縫沿垂直縫的方向移動(dòng)一段很小的距離(不改變狹縫和屏幕間的距離),重復(fù)實(shí)驗(yàn),如果屏幕上仍有間隔的條紋分布,則O點(diǎn)一定處在明條紋上 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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