【題目】下表為元素周期表的一部分,請參照元素①—⑨在表中的位置,回答問題:

周期

A

A

A

A

A

A

A

0

1

2

3

(1)表中⑧元素單質(zhì)可用作________。

(2)③、④、⑧的原子半徑最小是________(用元素符號回答)。

(3)⑤、⑥、⑦的最高價氧化物對應的水化物中,堿性最強的是________(用化學式回答)。

(4)②、③、④的氣態(tài)氫化物中,穩(wěn)定性最弱的是________(用化學式回答)(5)②和③按原子數(shù)形成的化合物的電子式為________,該晶體氣化的過程中克服的微粒間作用力為________。

(6)③和⑧形成的化合物屬于________(填“離子化合物”或“共價化合物”),該晶體屬于________晶體(填“離子”、“分子”、“原子”)。

(7)元素⑤、⑦的最高價氧化物的水化物互相反應的化學方程式為:________________。

【答案】半導體材料 F 分子間作用力 共價化合物 原子

【解析】

由元素在周期表位置可知,①為H,②為C,③為O,④為F,⑤為Na,⑥為Mg,⑦為Al,⑧為Si,⑨為Cl;

(1)⑧為Si,在元素周期表中介于金屬與非金屬之間;

(2)電子層數(shù)越多,半徑越大,同一周期從左到右半徑半徑減小,據(jù)此進行分析;

(3)最高價氧化物對應的水化物堿性越強,金屬性越強;

(4)氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性越強,非金屬性越強;

(5)②和③按原子數(shù)12形成的化合物為CO2,據(jù)此書寫電子式;CO2為分子晶體,據(jù)此進行分析;

(6)③和⑧形成的化合物為SiO2,據(jù)此進行分析;SiO2是原子晶體;

(7)元素⑤、⑦的最高價氧化物的水化物分別為NaOHAl(OH)3,反應生成偏鋁酸鈉和水,據(jù)此書寫化學方程式。

(1)Si導電性介于導體和絕緣體之間,是常見半導體材料,可用于制芯片;

(2)電子層數(shù)越多,半徑越大,同一周期從左到右半徑半徑減小,故③、④、⑧的原子半徑最小是④,即為F;

(3)最高價氧化物對應的水化物堿性越強,金屬性越強,故⑤、⑥、⑦的最高價氧化物對應的水化物,堿性最強的是⑤,即為NaOH;

(4)氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性越強,非金屬性越強,故C、O、F的氣態(tài)氫化物,穩(wěn)定性最強的是HF,最弱的是CH4

(5)②和③按原子數(shù)12形成的化合物為CO2,電子式為;CO2為分子晶體,故該晶體氣化的過程中克服的微粒間作用力為分子間作用力;

(6)③和⑧形成的化合物為SiO2,該化合物為共價化合物;SiO2是原子晶體;

(7)元素⑤、⑦的最高價氧化物的水化物分別為NaOHAl(OH)3,反應生成偏鋁酸鈉和水,故化學方程式為Al(OH)3+NaOH═NaAlO2+2H2O。

練習冊系列答案
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⑥ 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

⑧ 

 

(1)請寫出下列元素的元素符號:①____________________________

(2)元素①④按21組成的化合物中化學鍵為_________。(共價鍵離子鍵”)

(3)②的單質(zhì)與⑧的最高價氧化物水化物熱的濃溶液反應的化學方程式為____________。

(4)⑤⑥⑦的最高價氧化物水化物的堿性從大到小的順序____________。(填化學式)

(5)④⑤⑥⑧形成的簡單離子,其離子半徑由小到大的順序為____________(填離子符號)。

(6)④和⑧的氫化物穩(wěn)定性從大到小的順序為______________________。(填化學式)

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