Ⅰ.砷化鎵為第三代半導體,以其為材料制造的燈泡壽命長、耗能少.已知砷化鎵的晶胞結構如圖1所示.請回答下列問題:
(1)下列說法正確的是
(填序號).
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同B.第一電離能As>GaC.電負性As>GaD.原子半徑As>Ga
(2)砷化鎵可由(CH
3)
3Ga和AsH
3在700℃下反應制得,反應的化學方程式為
.
(3)AsH
3空間形狀為
;已知(CH
3)
3Ga為非極性分子,則其中嫁原子的雜化方式為
.
Ⅱ.金屬銅的導電性僅次于銀,局金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè).
(4)請解釋金屬銅能導電的原因
;Cu
2+的核外電子排布式為
.
(5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到深藍色的[Cu(NH
3)
4]SO
4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外,還有
和
.
(6)NiO晶體結構與NaCl晶體類似,其晶胞的棱長為acm,則該晶胞中距離最近的兩個陽離子核間的距離為
cm(用含a的代數式表示).在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層“(如圖2),可以認為氧離子做致密單層排列,鎳離子填充其中,列式并計算每平方米面積上分散的該晶體的質量為
g(氧離子的半徑為1.40×10-
10m).