17．物質(zhì)的水溶液能導電，但該物質(zhì)屬于非電解質(zhì)的是（　�。�
A．三氧化硫B．干冰C．蔗糖D．硫酸鋇

分析 在水溶液里和熔融狀態(tài)下都不導電的化合物是非電解質(zhì)，溶液能導電說明含有自由移動的離子．

解答 解：A．SO3和水反應生成硫酸，硫酸能電離出陰陽離子而使其溶液導電，所以SO3是非電解質(zhì)，故A正確；
B．干冰和水反應生成碳酸，碳酸能電離出陰陽離子而使其溶液導電，所以干冰是非電解質(zhì)，故B正確；
C．蔗糖在水溶液里和熔融狀態(tài)下都不導電，所以乙醇是非電解質(zhì)，故C錯誤；
D．硫酸鋇在熔融狀態(tài)下導電，所以硫酸鋇是電解質(zhì)，故D錯誤；
故選AB．

點評 本題考查了電解質(zhì)和非電解質(zhì)的判斷，根據(jù)其定義來分析解答即可，難度不大．

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：解答題

7．硅是帶來人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個有一個奇跡．
（1）新型陶瓷Si3N4的熔點高、硬度大、化學性質(zhì)穩(wěn)定．工業(yè)上可以采用化學氣相沉積法，在H2的保護下，使SiCl4與N2反應生成Si3N4沉積在石墨表面，寫出該反應的化學方程式3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl．
（2）一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅．一種合成氮化硅的工藝主要流程如圖：

①凈化N2和H2時，銅屑的作用是：除去原料氣中的氧氣；硅膠的作用是除去生成的水蒸氣．
②在氮化爐中3SiO2（s）+2N2（g）═Si3N4（s）△H=-727.5kJ/mol，開始時為什么要嚴格控制氮氣的流速以控制溫度該反應為放熱反應，防止局部過熱，導致硅熔化熔合成團，阻礙與N2的接觸；體系中要通入適量的氫氣是為了將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣，而易被除去（或?qū)⒄麄�體系中空氣排盡）．
③X可能是硝酸（選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）．
（3）工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅：
①整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl3遇水劇烈反應，寫出該反應的化學方程式SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2↑．
②假設每一輪次制備1mol純硅，且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失，反應Ⅰ中HCl的利用率為90%，反應Ⅱ中H2的利用率為93.75%．則在第二輪次的生產(chǎn)中，補充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是5：1．

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科目：高中化學 來源： 題型：填空題

8．取300mL 0.2mol/L的KI溶液與一定量的酸性KMnO4 溶液恰好反應，生成等物質(zhì)的量的I2和KIO3，則消耗KMnO4的物質(zhì)的量的是0.032mol．

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科目：高中化學 來源： 題型：填空題

5．已知鉬（Mo）的晶胞為體心立方晶胞，鉬原子半徑為a pm，相對原子質(zhì)量為M，以NA表示阿伏伽德羅常數(shù)的值，請寫出金屬鉬密度的計算表達式$\frac{2M}{（\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-10}）^{3}{N}_{A}}$ g/cm3．

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

12．對反應：2X（g）+Y（g）?2Z（g），減小壓強時，對反應產(chǎn)生的影響是（　　）
A．逆反應速率增大，正反應速率減小B．逆反應速率減小，正反應速率增大
C．正、逆反應速率都減小D．正、逆反應速率都增大

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

2．微型銀鋅電池的電極分別是Ag2O和Zn，電解質(zhì)溶液為KOH，兩極反應為：
Zn-2e-+2OH-=Zn（OH）2
Ag2O+H2O+2e-=Ag+2OH-
（1）銀鋅電池的負極是Zn，負極附近溶液的pH減�。ㄌ睢霸龃蟆保皽p小”或不變），該電池的總反應式是Zn+Ag2O+H2O═Zn（OH） 2+2Ag．
（2）若這是一種二次電池，則充電時Zn極接電源的負極，作為電解池的陰極，電極反應式為Zn（OH）2+2e-=Zn+2OH-．

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

9．某學習小組為探究部分元素化合物的性質(zhì)，設計了下面的實驗裝置：
（1）儀器B的名稱是圓底燒瓶；
（2）制備SO2并研究其性質(zhì)：撤掉酒精燈，在儀器B中加入適量Na2SO3粉末，儀器A中加入的試劑名稱為濃硫酸，裝置乙、丙分別裝有KMnO4溶液、Na2S溶液，其實驗目的分別是探究二氧化硫的還原性、二氧化硫的氧化性．
（3）制備Cl2并探究其性質(zhì)：裝置甲中發(fā)生反應的離子方程式為MnO2+2Cl-+4H+$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$Mn2++Cl2↑+2H2O，裝置乙、丙分別裝有NaBr溶液、KI溶液，裝置乙中發(fā)生反應的離子方程式為Cl2+2Br-=Br2+2Cl-，裝置丙中出現(xiàn)的現(xiàn)象是溶液由無色變?yōu)樽仙?/div>

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

14．1、2-二溴乙烷可作汽油抗爆劑，常溫下它是無色液體，密度2.18g/cm3，沸點131.4 0C，不溶于水，易溶于醇、醚、丙酮等有機溶劑．在實驗室可以用下圖所示裝置制備1、2-二溴乙烷，其中分液漏斗和燒瓶a中裝有乙醇和濃硫酸的混合液，試管c中裝有濃溴水．
填寫下列空白
（1）寫出本題中制備1、2-二溴乙烷的兩個化學方程式CH3CH2OH$→_{170℃}^{濃硫酸}$CH2=CH2↑+H2O，CH2=CH2+Br2→CH2BrCH2Br
（2）燒瓶a在加熱到1400C時發(fā)生的一個有機反應是CH3CH2OH+C2H5OH$→_{140℃}^{濃硫酸}$C2H5OC2H5+H2O（寫化學方程式，并注明條件）．
（3）某學生做實驗時使用了一定量的液溴，當液溴全部褪色時，所消耗的乙醇和濃硫酸混合液的量比理論值超出許多．如果裝置的氣密性沒有問題，試分析其可能的原因，并寫出其中二條原因產(chǎn)生乙烯的速率太快，許多乙烯氣體沒有與溴反應就溢出；產(chǎn)生乙烯的速率太快，許多乙烯氣體沒有與溴反應就溢出
（4）容器b、d中試劑均為NaOH 溶液，容器b中NaOH 溶液作用是吸收乙烯氣體中含有的CO2、SO2等酸性氣體；容器d中NaOH 溶液作用是吸收HBr和Br2等氣體，防止大氣污染．

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

15．二氧化氯泡騰片，有效成分（ClO2）是一種高效、安全的殺菌、消毒劑．
方法一：氯化鈉電解法是一種可靠的工業(yè)生產(chǎn)ClO2氣體的方法．該法工藝原理如圖．其過程是將食鹽水在特定條件下電解得到的氯酸鈉（NaClO3）與鹽酸反應生成ClO2．
（1）工藝中可利用的單質(zhì)有H2、Cl2（填化學式），發(fā)生器中生成ClO2的化學方程式為2NaClO3+4HCl=2ClO2↑+Cl2↑+2NaCl+2H2O．
（2）此法的缺點主要是同時產(chǎn)生了大量的氯氣，不僅產(chǎn)率低，而且產(chǎn)品難以分離，同時很有可能造成環(huán)境污染；用電解的方法耗能大．
方法二：最近，科學家又研究出了一種新的制備方法，纖維素還原法制ClO2，其原理是：纖維素水解得到的最終產(chǎn)物X與NaClO3反應生成ClO2．
（3）配平方程式：1C6H12O6+24NaClO3+12H2SO4→24ClO2↑+6CO2↑+18H2O+12Na2SO4
（答題紙上，僅寫出方程式中所有的系數(shù)以及未知物質(zhì)的化學式）
若反應中產(chǎn)生4.48L（折算成標準狀況下）氣體，電子轉(zhuǎn)移0.16NA個．
（4）ClO2和Cl2均能將電鍍廢水中的CN-氧化為無毒的物質(zhì)，自身被還原為Cl-．處理含CN-相同量的電鍍廢水，所需Cl2的物質(zhì)的量是ClO2的2.5倍．
方法三：實驗室常用氯酸鈉（NaClO3）和亞硫酸鈉（Na2SO3）用硫酸酸化，加熱制備二氧化氯，化學反應方程式為：2NaClO3+Na2SO3+H2SO4$\stackrel{△}{→}$2ClO2↑+2Na2SO4+H2O
（5）反應中的Na2SO3溶液中存在如下平衡：H2O?H++OH-和SO32-+H2O?HSO3-+OH-．（用離子方程式表示），常溫下，0.1mol/L該溶液中離子濃度由大到小排列c（Na+）＞c（SO32-）＞c（OH-）＞c（HSO3-）＞c（H+）（用離子符號表示）
（6）常溫下，已知NaHSO3溶液呈酸性，在Na2SO3溶液中滴加稀鹽酸至中性時，溶質(zhì)的主要成分有Na2SO3、NaHSO3、NaCl．（用化學式表示）

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