Question

A、B、C、D、E屬于短周期元素，且原子序數(shù)依次增大，已知A 與E同主族，B、C、D、E同周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，在甲中A、B 離子的電子層結(jié)構(gòu)相同；C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，高純度的D單質(zhì)可制造芯片；又知 C、D的單質(zhì)都能與強堿溶液反應(yīng)．
（1）寫出：A

 

D

 

（元素符號），乙

 

（化學(xué)式  ）
（2）E元素在周期表中的位置是第

 

周期，第

 

族．
（3）畫出B的原子結(jié)構(gòu)示意圖

 

；
（4）C單質(zhì)與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式

 

；
（5）舉出C單質(zhì)在工業(yè)上的一種重要用途（必須用化學(xué)方程式表示）

 

．

Answer 1

考點：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：高純度的D單質(zhì)可制造芯片，故D為硅；C、D（為Si）的單質(zhì)都能與強堿溶液反應(yīng)，C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，故C為Al，B、C、D、E同周期，所以B、C、D、E在第三周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，且A的原子序數(shù)小于B，故A為氧，B為鈉，A 與E同主族，且為短周期，E的原子序數(shù)大于D，硅E為硫，在甲中氧離子與鈉離子的電子層結(jié)構(gòu)相同，故甲為氧化鈉（Na₂O），乙為過氧化鈉（Na₂O₂ ），據(jù)此解答各小題即可．

解答： 解：依據(jù)分析可知：A為氧，B為鈉，C為鋁，D為硅，E為硫，
（1）A為氧，元素符號為O，D為硅，元素符號為Si，乙為過氧化鈉，故答案為：O；Si； Na₂O₂；
（2）E為硫，有3個電子層，最外層有6個電子，處于第三周期第ⅥA族，故答案為：三；ⅥA；  
（3）B為鈉，Na有3個電子層，最外層1個電子，Na的原子結(jié)構(gòu)示意圖為：，故答案為：；
（4）Al與氫氧化鈉、水反應(yīng)生成偏鋁酸鈉和氫氣，離子反應(yīng)方程式為：2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
故答案為：2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
（5）Al在工業(yè)上常做還原劑，還原一些金屬，比如Al與氧化鐵反應(yīng)，化學(xué)反應(yīng)方程式為：2Al+Fe₂O₃

高溫  .

Al₂O₃+2Fe，故答案為：2Al+Fe₂O₃

高溫  .

Al₂O₃+2Fe．

點評：本題主要考查的是元素的推斷以及元素化合物的知識，涉及鋁熱反應(yīng)、原子結(jié)構(gòu)示意圖書寫、元素位置推斷等，注意離子反應(yīng)方程式、化學(xué)反應(yīng)方程式的書寫．