晶體硅是信息科學(xué)和能源科學(xué)的一種重要材料，可用作制芯片和太陽能電池等。下列流程圖是工業(yè)上制取純硅的一種方法：

請回答下列問題：（各元素用相應(yīng)的元素符號表示）

    ⑴在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應(yīng)的有（填反應(yīng)的代號“I~IV”）

    ⑵A、B、C三種氣體，在上述生產(chǎn)過程中可循環(huán)利用的是       ；在“節(jié)能減排”

中作為減排目標(biāo)的一種氣體是               。

    ⑶化合物甲的用途很廣，有些已應(yīng)用于高、精、尖科技領(lǐng)域。通�？勺鹘ㄖ�工業(yè)和

造紙工業(yè)上的黏合劑，可作肥皂的填料，是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一定比例

混合加熱至1373~1623K反應(yīng)生成化合物甲，其化學(xué)方程式為                      。

    ⑷利用反應(yīng)III能制得純硅的原因是                             。

    ⑸已知反應(yīng)IV中產(chǎn)物的總能量比反應(yīng)物的總能量低，則在密閉容器內(nèi)反應(yīng)IV建立

平衡，改變下列的一個(gè)條件，氣體B的物質(zhì)的量增大的是            。

    a．縮小容器的容積

    b．降低反應(yīng)體系的溫度

    c．加入少量NaOH固體（生成物在此溫度下不分解）

    d．加入少量催化性能更好的催化劑

    ⑹金屬鎳（Ni）與氣體A能形成常溫下為液態(tài)的Ni（A）₄、利用Ni（A）₄的生成

與分解可以制得純度很高的納米鎳，寫出Ni（A）₄在423K分解的化學(xué)方程式         

晶體硅是信息科學(xué)和能源科學(xué)的一種重要材料，可用作制芯片和太陽能電池等。下列流程圖是工業(yè)上制取純硅的一種方法：

請回答下列問題：（各元素用相應(yīng)的元素符號表示）

   （1）在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應(yīng)的有（填反應(yīng)的代號“I~IV”）

   （2）A、B、C三種氣體，在上述生產(chǎn)過程中可循環(huán)利用的是       ；在“節(jié)能減排”中作為減排目標(biāo)的一種氣體是               。

   （3）化合物甲的用途很廣，有些已應(yīng)用于高、精、尖科技領(lǐng)域。通�？勺鹘ㄖ�工業(yè)和造紙工業(yè)上的黏合劑，可作肥皂的填料，是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一定比例混合加熱至1373~1623K反應(yīng)生成化合物甲，其化學(xué)方程式為                      。

   （4）利用反應(yīng)III能制得純硅的原因是                             。

   （5）已知反應(yīng)IV中產(chǎn)物的總能量比反應(yīng)物的總能量低，則在密閉容器內(nèi)反應(yīng)IV建立平衡，改變下列的一個(gè)條件，氣體B的物質(zhì)的量增大的是            。

        a．縮小容器的容積

b．降低反應(yīng)體系的溫度

c．加入少量NaOH固體（生成物在此溫度下不分解）

d．加入少量催化性能更好的催化劑

   （6）金屬鎳（Ni）與氣體A能形成常溫下為液態(tài)的Ni（A）₄、利用Ni（A）₄的生成與分解可以制得純度很高的納米鎳，寫出Ni（A）₄在423K分解的化學(xué)方程式            

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟為：①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂；③SiHCl₃與過量的氫氣在1000℃～1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。已知SiHCl₃能與水劇烈反應(yīng)，且在空氣中易自燃。請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為___________________。
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃（沸點(diǎn)為33.0℃）中含有少量的SiCl₄（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl₃常用的方法為____________。
（3）用SiHCl₃與過量的氫氣反應(yīng)制備純硅的裝置如下圖所示（熱源及夾持裝置略去）。

①裝置B中的試劑是______，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是_________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為____
_____________________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢驗(yàn)實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及____________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需加入的試劑是__________（填寫字母代號）。
a.碘水  b.氯水   c.NaOH溶液   d.KSCN溶液   e.Na₂SO₃溶液

晶體硅是信息科學(xué)和能源科學(xué)的一種重要材料，可用作制芯片和太陽能電池等。下列流程圖是工業(yè)上制取純硅的一種方法：

請回答下列問題：（各元素用相應(yīng)的元素符號表示）

   （1）在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應(yīng)的有（填反應(yīng)的代號“I~IV”）

   （2）A、B、C三種氣體，在上述生產(chǎn)過程中可循環(huán)利用的是       ；在“節(jié)能減排”中作為減排目標(biāo)的一種氣體是               。

   （3）化合物甲的用途很廣，有些已應(yīng)用于高、精、尖科技領(lǐng)域。通�？勺鹘ㄖ�工業(yè)和造紙工業(yè)上的黏合劑，可作肥皂的填料，是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一定比例混合加熱至1373~1623K反應(yīng)生成化合物甲，其化學(xué)方程式為                      。

   （4）利用反應(yīng)III能制得純硅的原因是                             。

   （5）已知反應(yīng)IV中產(chǎn)物的總能量比反應(yīng)物的總能量低，則在密閉容器內(nèi)反應(yīng)IV建立平衡，改變下列的一個(gè)條件，氣體B的物質(zhì)的量增大的是            。

        a．縮小容器的容積

b．降低反應(yīng)體系的溫度

c．加入少量NaOH固體（生成物在此溫度下不分解）

d．加入少量催化性能更好的催化劑

   （6）金屬鎳（Ni）與氣體A能形成常溫下為液態(tài)的Ni（A）₄、利用Ni（A）₄的生成與分解可以制得純度很高的納米鎳，寫出Ni（A）₄在423K分解的化學(xué)方程式            

晶體硅是信息科學(xué)和能源科學(xué)的一種重要材料，可用作制芯片和太陽能電池等。下列流程圖是工業(yè)上制取純硅的一種方法：

請回答下列問題：（各元素用相應(yīng)的元素符號表示）

    ⑴在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應(yīng)的有（填反應(yīng)的代號“I~IV”）

   ⑵A、B、C三種氣體，在上述生產(chǎn)過程中可循環(huán)利用的是       ；在“節(jié)能減排”

中作為減排目標(biāo)的一種氣體是              。

   ⑶化合物甲的用途很廣，有些已應(yīng)用于高、精、尖科技領(lǐng)域。通�？勺鹘ㄖ�工業(yè)和

造紙工業(yè)上的黏合劑，可作肥皂的填料，是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一定比例

混合加熱至1373~1623K反應(yīng)生成化合物甲，其化學(xué)方程式為                     。

   ⑷利用反應(yīng)III能制得純硅的原因是                            。

   ⑸已知反應(yīng)IV中產(chǎn)物的總能量比反應(yīng)物的總能量低，則在密閉容器內(nèi)反應(yīng)IV建立

平衡，改變下列的一個(gè)條件，氣體B的物質(zhì)的量增大的是           。

   a．縮小容器的容積

   b．降低反應(yīng)體系的溫度

   c．加入少量NaOH固體（生成物在此溫度下不分解）

   d．加入少量催化性能更好的催化劑

   ⑹金屬鎳（Ni）與氣體A能形成常溫下為液態(tài)的Ni（A）₄、利用Ni（A）₄的生成

與分解可以制得純度很高的納米鎳，寫出Ni（A）₄在423K分解的化學(xué)方程式