硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣,請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）       制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫(xiě)出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式　                 　。

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　                　         ；H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混0₂，可能引起的后果是                                      。

（2）下列有關(guān)說(shuō)法正確的是           （填字母）。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.普通玻璃的成分有純堿、石灰石和石英砂，其熔點(diǎn)很高

D.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入鹽酸溶液，振蕩,則反應(yīng)的離子方程式是　 　                                                           。

工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ； NaOH溶液的出口為_(kāi)_____ (填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)____ (填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl(鹽酸）、③BaCl₂,這3種試劑添加的合理順序是     （2分)(填序號(hào))。

(3) 多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl₄可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                          。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在20⁰C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)_: ，達(dá)平衡后，H2與SiHCL₃物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H₂全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_(kāi)______ mol。

(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    。

工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ； NaOH溶液的出口為_(kāi)_____ (填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)____ (填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl(鹽酸）、③BaCl₂,這3種試劑添加的合理順序是     （2分)(填序號(hào))。

(3) 多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl₄可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                          (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在20⁰C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)_: ，達(dá)平衡后，H2與SiHCL₃物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H₂全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_(kāi)______ (2分)mol。

(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    (2分)。

工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。
(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是    ；NaOH溶液的出口為_(kāi)_____(填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)____(填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl(鹽酸）、③BaCl₂,這3種試劑添加的合理順序是    （2分)(填序號(hào))。
(3) 多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl₄可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                         (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在20⁰C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)_:，達(dá)平衡后，H2與SiHCL₃物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H₂全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_(kāi)______ (2分)mol。
(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    (2分)。

工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ； NaOH溶液的出口為_(kāi)_____ (填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)____ (填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl(鹽酸）、③BaCl₂,這3種試劑添加的合理順序是     （2分)(填序號(hào))。

(3) 多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl₄可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                          (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在20⁰C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)_: ，達(dá)平衡后，H2與SiHCL₃物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H₂全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_(kāi)______ (2分)mol。

(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    (2分)。