題目列表(包括答案和解析)
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氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
I.工業(yè)上有多種方法來制備氮氦化硅,常見的方法有:
方法一 直接氦化法:在1300~1400℃時,高純粉狀硅與純氦氣化合,其反應(yīng)方程式為
方法二 化學(xué)氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氦氣、氫氣反應(yīng)生成氦化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氦化硅純度較高,其原因是 。
方法三 Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體
(填分子式);然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為 。
II.(1)氨化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氨化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,此鹽中存在的化學(xué)鍵類型有 。
(2)已知:25℃,101kPa條件下的熱化學(xué)方程式:
3Si(s)+2N2(g)==Si3N4(s) △H=—750.2kJ/mol
Si(s)+2Cl2(g)==SiCl4(g) △H=—609.6kJ/mol
H2(g)+Cl2(g)==HCl(g) △H=—92.3kJ/mol
請寫出四氯化硅氣體與氮氣、氫氣反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:
。
III.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:
已知:X,高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色。
(1)原料B的主要成分是 。
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式: 。
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,陽極材料能否用Cu? (填“能”或“不能”)。
寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰陽極的電極方程式:
陽極: ;陰極: 。
(15分)
氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.
I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:
方法一 直接氮化法:在1300℃-1400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應(yīng)方程式為 .
方法二 化學(xué)氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應(yīng)生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是 .
方法三 Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體(填分子式) ;然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為 .
II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:
已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色.
(1)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式: .
(2)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液的化學(xué)方程式: .
氮化硅( Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.
I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:
方法一:直接氮化法:在1300℃-1400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應(yīng)方程式為
。
方法二:化學(xué)氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應(yīng)生成氮化硅和HC1,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是 .
方法三:Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體(填分子式)________;然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為 。
II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:
已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色.
(1)原料B的主要成分是(寫名稱) 。
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式: 。
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,陽極材料能否用Cu (填“能”或“不能”),寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰陽極的電極方程式:
陽極: ;陰極: 。
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