題目列表(包括答案和解析)
| A、IVA族元素氫化物沸點順序是：GeH4＞SiH4＞CH4；則VA族元素氫化物沸點順序也是：AsH3＞PH3＞NH3 | B、碳和硅都是IVA族元素，Si和SiO2都是原子晶體； 則C和CO2也是原子晶體 | C、鹵族元素最高價氧化物的水化物酸性：HClO4＞HBrO4＞HIO4；則也有酸性：鹽酸＞氫溴酸＞氫碘酸 | D、第二周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序是：HF＞H2O＞NH3；則第三周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序也是：HCl＞H2S＞PH3 |
“類推”是一種常用的學習方法，但有時會產(chǎn)生錯誤的結(jié)論，下列類推結(jié)論中正確的是( )
A.ⅣA族元素氫化物沸點順序是：GeH4>SiH4>CH4；則ⅤA族元素氫化物沸點順序也是：AsH3>PH3>NH3
B.第二周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序是：HF>H2O>NH3；則第三周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序也是：HCl>H2S>PH3
C.晶體中有陰離子，必有陽離子；則晶體中有陽離子，必有陰離子
D.干冰(CO2)是分子晶體，則SiO2也是分子晶體
“類推”是一種常用的學習方法，但有時會產(chǎn)生錯誤的結(jié)論，下列類推結(jié)論中正確的是
| A．IVA族元素氫化物沸點順序是：GeH4>SiH4>CH4；則VA族元素氫化物沸點順序也是： AsH3>PH3>NH3 |
| B．第二周期元素氫化物的穩(wěn)定性序是：HF>H2O>NH3, 則第三周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序也是：HCl>H2S>PH3 |
| C．晶體中有陰離子，必有陽離子；則晶體中有陽離子，必有陰離子 |
| D．干冰（CO2）是分子晶體，則SiO2也是分子晶體 |
“類推”是一種常用的學習方法，但有時會產(chǎn)生錯誤的結(jié)論，下列類推結(jié)論中正確的是
A．IVA族元素氫化物沸點順序是：GeH4>SiH4>CH4；則VA族元素氫化物沸點順序也是： AsH3>PH3>NH3
B．第二周期元素氫化物的穩(wěn)定性序是：HF>H2O>NH3, 則第三周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序也是：HCl>H2S>PH3
C．晶體中有陰離子，必有陽離子；則晶體中有陽離子，必有陰離子
D．干冰（CO2）是分子晶體，則SiO2也是分子晶體
“類推”是一種常用的學習方法，但有時會產(chǎn)生錯誤的結(jié)論，下列類推結(jié)論中正確的是
A．IVA族元素氫化物熔點順序是：GeH4>SiH4>CH4；則VA族元素氫化物熔點順序也是：AsH3>PH3>NH3
B．第二周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序是：HF>H2O>NH3； 則第三周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序也是：HCl>H2S>PH3
C．工業(yè)上用電解氯化鎂制備鎂單質(zhì)，工業(yè)上也可用電解氯化鋁制備鋁單質(zhì)
D．Fe3O4可改寫成氧化物的形式為：FeO·Fe2O3 ；因此Pb3O4也可改寫為：PbO·Pb2O3
生物部分
BDDCBC
30．Ⅰ．（1）光強 低
（2）氣孔開度影響二氧化碳進入葉片的量。氣孔開度越大，進入葉片的二氧化碳越多，光合速率越高
（3）日出后光合速率逐漸提高，達到高峰后逐漸降低 （4）三碳化合物
Ⅱ．適宜的可見光 同等強度的可見光和一定強度的紫外光
高度（生長狀況和高度） 兩組植株中3-亞甲基氧代吲哚含量
甲組植株生長高于乙組，甲組中3-亞甲基氧代吲哚含量少于乙組。
31．Ⅰ．（1） 基因突變 （變異來源） X 顯 禮服 白金
（2）請你用遺傳圖解解釋此現(xiàn)象。（要求寫出配子）
遺傳圖解（略）
（3） 雄,二。
Ⅱ。（1）生殖隔離 �。�2） 基因重組（3）aabb（寫出兩對隱性基因即可）
化學部分
BBACCAC
26．（1）①（NH4）2CO3[或NH4HCO3] �、谖账投趸�
（2）�、�4NH3+5O2
4NO+6H2O
2NO+O2====2NO2
②2NO2（氣）
N2O4（氣）+熱量，降低溫度使平衡正向移動，部分紅棕色NO2轉(zhuǎn)化為無色N2O4。
（3）①先通入O2，后通入NH3。若先通氨氣，氨在空氣中不能點燃，逸出造成污染。
②4NH3+3O2
2N2+6H2O
27．（1）2SO2（g）＋O2（g）
2SO3（g） △H＝－196.6 kJ?mol-1
（2） Al2（SO4）3 H2SO4或H2SO3或H2CO3（其它合理答案也可） 1014―
（3）① 4H+ + AlO2－ = Al3+ + 2H2O（1分）Al3+ + 3 AlO2－ +6H2O = 4Al（OH）3↓（2分）
②c（Na+）>c（SO42－）>c（HCO3－）>c（OH－）>c（H+）>（CO32－）（3分）
28．（1）2Mg+CO2=2MgO+C
（2）將D溶液在HCl氣流中蒸干
（3）②4NH3+5O2 
4NO+6H2O
（4）C+4HNO3（濃）
CO2+4NO2↑+2H2O
（5）2NH4++2e- = 2NH3↑+H2↑
29．（10分）I （1） 1 3 （2）A、D （3）保護D分子中其他羥基不被氧化
（4）
II
物理部分
二、選擇題（每小題6分，共48分）
14
15
16
17
18
19
20
21
A
B
A
C
CD
AD
B
AC
第II卷
22．（1）①如圖（4分） ②23-26（4分）
（2）①ABDF……………………（3分）
②如圖右所示.……………………（3分）
③大于23W小于24W；……………（3分）
④
23．（15分）
（1）t=0.5s 2分
VX=
V0=
m/s 3分
（2）由平拋運動得vt=1m/s 2分
a=12m/s2 3分
f=1.2mg 2分
24．（17分）（1）由機械能守恒定律得：Mgh－mgh=
（M+m）v
①（3分）
解得v1=
②（3分）
（2）設(shè)線框ab邊進入磁場Ⅱ時速度為v2，則線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢：
E=2BLv2 ③（2分）
線框中的電流I=
④（1分）
線框受到的安培力F=2IBL=
⑤（3分）
設(shè)繩對A1、A2的拉力大小為T，則：
對A1：T+F=Mg ⑥（1分）
對A2：T=mg ⑦（1分）
聯(lián)立⑤⑥⑦解得：v2=
�、啵�3分）
25．（22分）
解析：（1）由
，即重力與電場力平衡
|
，即小球飛離磁場時速度方向垂直于磁