C.10.2 eV D.10.3 eV 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

用光子能量E=10.2 eV的一束光照射一群處于基態(tài)的氫原子,受光照后的氫原子可能發(fā)生躍遷的情況應(yīng)是

A.

電子軌道量子數(shù)由n=1躍遷到n=3

B.

電子軌道量子數(shù)由n=1躍遷到n=4

C.

電子軌道量子數(shù)由n=1躍遷到n=2

D.

電子不可能發(fā)生軌道躍遷,氫原子仍處于基態(tài)

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(1)下列說法正確的是   ▲    .

A、黑體輻射電磁波的強(qiáng)度按波長(zhǎng)的分布只與黑體的溫度有關(guān)

B、普朗克提出了物質(zhì)波的概念,認(rèn)為一切物體都具有波粒二象性。

C、波爾理論的假設(shè)之一是原子能量的量子化

D、氫原子輻射出一個(gè)光子后能量減小,核外電子的運(yùn)動(dòng)加速度減小

(2)如圖所示是研究光電效應(yīng)規(guī)律的電路。圖中標(biāo)有A和K的為光電管,其中K為陰極, A為陽極,F(xiàn)接通電源,用光子能量為10.5eV的光照射陰極K,電流計(jì)中有示數(shù),若將滑動(dòng)變阻器的滑片P緩慢向右滑動(dòng),電流計(jì)的讀數(shù)逐漸減小,當(dāng)滑至某一位置時(shí)電流計(jì)的讀數(shù)恰好為零,讀出此時(shí)電壓表的示數(shù)為6.0V;則光電管陰極材料的逸出功為    ▲   eV,現(xiàn)保持滑片P位置不變,增大入射光的強(qiáng)度,電流計(jì)的讀數(shù)    ▲    。(選填“為零”、或“不為零”)

(3)快中子增殖反應(yīng)堆中,使用的核燃料是钚239,裂變時(shí)釋放出快中子,周圍的鈾238吸收快中子后變成鈾239,鈾239()很不穩(wěn)定,經(jīng)過    ▲   次β衰變后變成钚239(),寫出該過程的核反應(yīng)方程式:         ▲         。設(shè)靜止的鈾核發(fā)生一次β衰變生成的新核質(zhì)量為M,β粒子質(zhì)量為m,,釋放出的β粒子的動(dòng)能為E0 ,假設(shè)衰變時(shí)能量全部以動(dòng)能形式釋放出來,求一次衰變過程中的質(zhì)量虧損。

 

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(1)下列說法正確的是   ▲    .

A、黑體輻射電磁波的強(qiáng)度按波長(zhǎng)的分布只與黑體的溫度有關(guān)

B、普朗克提出了物質(zhì)波的概念,認(rèn)為一切物體都具有波粒二象性。

C、波爾理論的假設(shè)之一是原子能量的量子化

D、氫原子輻射出一個(gè)光子后能量減小,核外電子的運(yùn)動(dòng)加速度減小

(2)如圖所示是研究光電效應(yīng)規(guī)律的電路。圖中標(biāo)有A和K的為光電管,其中K為陰極, A為陽極,F(xiàn)接通電源,用光子能量為10.5eV的光照射陰極K,電流計(jì)中有示數(shù),若將滑動(dòng)變阻器的滑片P緩慢向右滑動(dòng),電流計(jì)的讀數(shù)逐漸減小,當(dāng)滑至某一位置時(shí)電流計(jì)的讀數(shù)恰好為零,讀出此時(shí)電壓表的示數(shù)為6.0V;則光電管陰極材料的逸出功為    ▲   eV,現(xiàn)保持滑片P位置不變,增大入射光的強(qiáng)度,電流計(jì)的讀數(shù)    ▲    。(選填“為零”、或“不為零”)

(3)快中子增殖反應(yīng)堆中,使用的核燃料是钚239,裂變時(shí)釋放出快中子,周圍的鈾238吸收快中子后變成鈾239,鈾239()很不穩(wěn)定,經(jīng)過    ▲   次β衰變后變成钚239(),寫出該過程的核反應(yīng)方程式:          ▲         。設(shè)靜止的鈾核發(fā)生一次β衰變生成的新核質(zhì)量為M,β粒子質(zhì)量為m,,釋放出的β粒子的動(dòng)能為E0 ,假設(shè)衰變時(shí)能量全部以動(dòng)能形式釋放出來,求一次衰變過程中的質(zhì)量虧損。

 

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精英家教網(wǎng)如圖所示,電子源每秒發(fā)射2.5×1013個(gè)電子,電子以V0=8.0×106m/s的速度穿過P板上A孔,從M、N兩平行板正中央進(jìn)入兩板間,速度方向平行于板M且垂直于兩板間的勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩極板M、N間電壓始終為UMN=80.0V,兩板距離d=1.0×10-3m.電子在板M、N間做勻速直線運(yùn)動(dòng)后進(jìn)入由C、D兩平行板組成的已充電的電容器中,電容器電容為8.0×10-8F,電子打到D板后就留在D板上.在t1=0時(shí)刻,D板電勢(shì)較C板的電勢(shì)高818V,在t2=T時(shí)刻,開始有電子打到M板上.已知電子質(zhì)量m=9.1×10-31㎏、電荷量e=1.6×10-19C,兩板C、P均接地,電子間不會(huì)發(fā)生碰撞(忽略電子的重力和電子間的相互作用力).求:
(1)兩極板M、N間勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B;
(2)T時(shí)刻打到M板上每個(gè)電子的動(dòng)能Ek(以eV為單位);
(3)最終到達(dá)D板的電子總數(shù)n;
(4)在t3=
3T5
時(shí)刻,每個(gè)電子到達(dá)D板時(shí)的速度v.(保留兩位有效數(shù)字)

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已知汞原子可能的能級(jí)為E1=-10.4 eV,E2=-5.5 eV,E3=-2.7 eV,E4=-1.6 eV.一個(gè)自由電子的總能量為9 eV,與處于基態(tài)的汞原子發(fā)生碰撞,已知碰撞過程中不計(jì)汞原子動(dòng)量的變化,則電子可能剩余的能量為

A.0.2 eV

B.1.4 eV

C.2.3 eV

D.5.5 eV

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