砷化鎵（GaAs）屬于第三代半導(dǎo)體，用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。

       試回答：

（1）As的核外電子排布式為                     。

（2）砷化鎵晶胞中所包含的Ga原子個(gè)數(shù)為          。

（3）下列說(shuō)法正確的是      （填字母）。

       A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同           B．第一電離能：As＞Ga

       C．電負(fù)性：As＞Ga                     D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

       E．半導(dǎo)體GaP與GaAs互為等電子體

（4）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃時(shí)制備得到。

AsH₃的空間形狀為               ，（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為              。

（5）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其主要原因是      。

       砷化鎵（GaAs）屬于第三代半導(dǎo)體，用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。

       試回答：

（1）As的核外電子排布式為                     。

（2）砷化鎵晶胞中所包含的Ga原子個(gè)數(shù)為          。

（3）下列說(shuō)法正確的是      （填字母）。

       A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同           B．第一電離能：As＞Ga

       C．電負(fù)性：As＞Ga                     D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

       E．半導(dǎo)體GaP與GaAs互為等電子體

（4）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃時(shí)制備得到。

AsH₃的空間形狀為               ，（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為              。

（5）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其主要原因是      。

砷化鎵（GaAs）屬于第三代半導(dǎo)體，用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答：

（1）As的核外電子排布式為       。

（2）砷化鎵晶胞中所包含的Ga原子個(gè)數(shù)為       。

（3）下列說(shuō)法正確的是       （填字母）。

       A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同

       B．第一電離能：As＞Ga

       C．電負(fù)性：As＞Ga

       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

E．半導(dǎo)體GaP與GaAs互為等電子體

（4）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃時(shí)制備得到。AsH₃的空間形狀為       ，（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為       。

（5）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其主要原因是       。

砷化鎵（GaAs）屬于第三代半導(dǎo)體，用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答：

（1）As的核外電子排布式為       。

（2）砷化鎵晶胞中所包含的Ga原子個(gè)數(shù)為       。

（3）下列說(shuō)法正確的是       （填字母）。

A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同

B．第一電離能：As＞Ga

C．電負(fù)性：As＞Ga

D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

E．半導(dǎo)體GaP與GaAs互為等電子體

（4）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃時(shí)制備得到。AsH₃的空間形狀為       ，(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為       。

（5）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其主要原因是       。