題目列表(包括答案和解析)
硅的元素符號為Si,單晶硅是制作電子集成電路的基礎材料用化學方法可制得高純度硅有關化學反應方程式為:①SiO2+2C==Si+2CO↑�、赟i+2C12======SiCl4�、跾iCl4+2H2====Si+4HCl其中①、③的反應類型屬于 | |
[ ] | |
A. |
復分解反應 |
B. |
分解反應 |
C. |
置換反 |
D. |
化合反應 |
X、Y、Z、W是分別位于第2、3周期的元素,原子序數(shù)依次遞增。X與Z位于同一主族,Y元素的單質(zhì)既能與鹽酸反應也能與NaOH溶液反應,Z原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的一半,Y、Z、W原子的最外層電子數(shù)之和為14。下列說法正確的是( )
A.Z的最高價氧化物在常溫的條件下能與W的氫化物的水溶液反應
B.原子半徑由小到大的順序:X< Y < Z< W
C.Y單質(zhì)在一定條件下可以與氧化鐵發(fā)生置換反應
D.室溫條件下不可以用Y制的容器盛放濃硫酸
【解析】Y元素的單質(zhì)既能與鹽酸反應也能與NaOH溶液反應,說明Y是鋁。Z原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的一半,因此Z是Li或Si,但由于Z的原子序數(shù)大于Y的,所以Z是Si,則X是C。Y、Z、W原子的最外層電子數(shù)之和為14,則W的最外層電子數(shù)是7,所以W是Cl。硅只能溶于HF中,不溶于鹽酸,A錯誤。原子半徑由小到大的順序Al>Si>Cl>C,B不正確。C屬于鋁熱反應,正確。常溫下,鋁在濃硫酸中鈍化,可以用Y制的容器盛放濃硫酸,D不正確。所以正確的答案是C。
已知某氣態(tài)烴1mol最多可與2molHCl發(fā)生加成反應,所得產(chǎn)物與Cl2發(fā)生取代反應時,若將氫原子全部取代,需要8mol Cl2,則該烴可能是( )
A.丙炔 B.乙炔 C.2-丁炔 D.2-丁烯
【解析】1mol氣態(tài)烴最多可與2molHCl發(fā)生加成反應,說明該氣態(tài)烴分子中含有碳碳三鍵或2個碳碳雙鍵。烴在發(fā)生取代反應時,1個氫原子就需要1個氯氣分子,這說明和2molHCl加成之后,分子內(nèi)共有8個氫原子,所以原分子中含有6個氫原子,因此其分子式為C4H6,所以正確的答案是C。
已知某氣態(tài)烴1mol最多可與2molHCl發(fā)生加成反應,所得產(chǎn)物與Cl2發(fā)生取代反應時,若將氫原子全部取代,需要8mol Cl2,則該烴可能是( )
A.丙炔 B.乙炔 C.2-丁炔 D.2-丁烯
【解析】1mol氣態(tài)烴最多可與2molHCl發(fā)生加成反應,說明該氣態(tài)烴分子中含有碳碳三鍵或2個碳碳雙鍵。烴在發(fā)生取代反應時,1個氫原子就需要1個氯氣分子,這說明和2molHCl加成之后,分子內(nèi)共有8個氫原子,所以原分子中含有6個氫原子,因此其分子式為C4H6,所以正確的答案是C。
X、Y、Z、W是分別位于第2、3周期的元素,原子序數(shù)依次遞增。X與Z位于同一主族,Y元素的單質(zhì)既能與鹽酸反應也能與NaOH溶液反應,Z原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的一半,Y、Z、W原子的最外層電子數(shù)之和為14。下列說法正確的是( )
A.Z的最高價氧化物在常溫的條件下能與W的氫化物的水溶液反應
B.原子半徑由小到大的順序:X<Y < Z< W
C.Y單質(zhì)在一定條件下可以與氧化鐵發(fā)生置換反應
D.室溫條件下不可以用Y制的容器盛放濃硫酸
【解析】Y元素的單質(zhì)既能與鹽酸反應也能與NaOH溶液反應,說明Y是鋁。Z原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的一半,因此Z是Li或Si,但由于Z的原子序數(shù)大于Y的,所以Z是Si,則X是C。Y、Z、W原子的最外層電子數(shù)之和為14,則W的最外層電子數(shù)是7,所以W是Cl。硅只能溶于HF中,不溶于鹽酸,A錯誤。原子半徑由小到大的順序Al>Si>Cl>C,B不正確。C屬于鋁熱反應,正確。常溫下,鋁在濃硫酸中鈍化,可以用Y制的容器盛放濃硫酸,D不正確。所以正確的答案是C。
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