題目列表(包括答案和解析)
實(shí)驗(yàn)室里需要純凈的氯化鈉溶液,但現(xiàn)有的氯化鈉晶體中混有少量硫酸鈉和碳酸氫銨,設(shè)計(jì)一組實(shí)驗(yàn)去雜質(zhì)。試簡(jiǎn)單回答下列問(wèn)題。
(1)除去碳酸氫銨,用加熱方法好,還是加入強(qiáng)堿微熱的方法好?
答:______________,原因是____________________,判斷碳酸氫銨已完全除去的方法是__________________________。
(2)加熱的固體殘?jiān)苡谒�,�?yīng)該用氯化鋇溶液還是硝酸鋇溶液除去SO42-?
答:_____________,原因是______________,判斷SO42-已完全除去的方法是_________。
實(shí)驗(yàn)室里需要純凈的氯化鈉溶液,但現(xiàn)有的氯化鈉晶體中混有少量硫酸鈉和碳酸氫銨,設(shè)計(jì)一組實(shí)驗(yàn)去雜質(zhì)。試簡(jiǎn)單回答下列問(wèn)題。
(1)除去碳酸氫銨,用加熱方法好,還是加入強(qiáng)堿微熱的方法好?
答:______________,原因是____________________,判斷碳酸氫銨已完全除去的方法是__________________________。
(2)加熱的固體殘?jiān)苡谒�,�?yīng)該用氯化鋇溶液還是硝酸鋇溶液除去SO42-?
答:_____________,原因是______________,判斷SO42-已完全除去的方法是_________。
(1-84a) |
18a |
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要設(shè)計(jì)一套實(shí)驗(yàn)室利用液體和液體加熱反應(yīng)制備氣體的裝置,現(xiàn)設(shè)計(jì)了五步操作,正確的程序是( )
①將蒸餾燒瓶固定在鐵架臺(tái)上�、趯⒕凭珶舴旁阼F架臺(tái)上,根據(jù)酒精燈確定鐵圈高度,固定鐵圈,放好石棉網(wǎng)
③用漏斗向蒸餾燒瓶中加入一種液體反應(yīng)物,再向分液漏斗中加入另一種液體反應(yīng)物,并將導(dǎo)氣管放入氣體收集器中
④檢查裝置的氣密性(利用對(duì)固定裝置微熱的方法檢查氣密性)�、菰谡麴s燒瓶上裝好分液漏斗,連接好導(dǎo)氣管
A.②①⑤④③ B.④①②⑤③
C.①②⑤④③ D.①⑤④②③
(18分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl SiHCl3+H2
③SiHCl3與過(guò)量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為 。
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為: 。
(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是 ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是: 。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是 ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是 ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及 。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫(xiě)字母代號(hào))是
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na2SO3溶液
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