27. 下圖是Na.Cu.Si.H.C.N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序.其中c.d均是熱和電的良導(dǎo)體. (1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式 . (2)單質(zhì)a.f.b對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1 形成的分子中含 個(gè)鍵. 個(gè)鍵. (3)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為 ,將X溶于水后的溶液滴入到含d元素高價(jià)離子的溶液中至過(guò)量.生成的含d元素離子的化學(xué)式為 .其中X與d的高價(jià)離子之間以 鍵結(jié)合. (4)上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)為: 該含氧酸的分子式為: .請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式      

(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1 :1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含    個(gè)鍵和    個(gè)鍵。

(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為                 ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為             ,其中X與Ag之間以           鍵結(jié)合。

(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)數(shù)原因                 

 

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選做題(考生只能選做一題)

1.《有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)》

精神病學(xué)專家通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):在大腦的相應(yīng)部位——“獎(jiǎng)賞中心”,給予柔和的電擊,便會(huì)處于似乎極度快樂(lè)的狀態(tài)。人們已經(jīng)將“獎(jiǎng)賞中心”部分的腦電圖繪制出來(lái),并認(rèn)為,在各區(qū)域之間傳遞信息的化學(xué)物質(zhì)是多巴胺,所以“獎(jiǎng)賞中心”又稱為多巴胺系統(tǒng)。多巴胺結(jié)構(gòu)如圖。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)多巴胺的分子式:____________。

(2)試推測(cè)多巴胺能發(fā)生的反應(yīng)類型____________。

A.消去          B.取代           C.加成           D.水解

(3)多巴胺可由香蘭素與硝基甲烷制得,合成過(guò)程表示如下:

Ⅰ.0.5 mol香蘭素發(fā)生銀鏡反應(yīng),最多可生成_________ mol Ag。

Ⅱ.②的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是_________,生成②的反應(yīng)類型是_________。

Ⅲ.寫出④⑤步的化學(xué)方程式:

④_________________________________________________________________。

⑤_________________________________________________________________。

2.《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請(qǐng)寫出圖中b單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式___________。

(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含___________個(gè)σ鍵和___________個(gè)π鍵。

(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為_(kāi)__________;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為_(kāi)___________,其中X與Ag之間以___________鍵結(jié)合。

(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu),請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因____________________________________________________________________。

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下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良
導(dǎo)體。下列判斷不正確的是

A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵
B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式:1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵       
D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1∶1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵

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(選做題)【化學(xué)——物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】

下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式_____________。

(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比2∶1形成的分子(相同條件下對(duì)氫氣的相對(duì)密度為14)中含_____________個(gè)δ鍵和_____________個(gè)π鍵。

(3)a與b的組成元素形成的 10電子中性分子的空間構(gòu)型是_____________;由該分子構(gòu)成的物質(zhì)易液化的原因是____________________________________________________。

(4)e對(duì)應(yīng)的元素形成的氧化物的晶體類型為_(kāi)___________晶體。

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下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式       。

(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1 :1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含    個(gè)鍵和    個(gè)鍵。

(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為                  ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為              ,其中X與Ag之間以           鍵結(jié)合。

(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)數(shù)原因                  。

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