題目列表(包括答案和解析)
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A、敲除氖原子內(nèi)層電子,則這種氖原子的質(zhì)量數(shù)不變 |
B、缺電子原子結(jié)合電子變?yōu)橹行栽拥倪^(guò)程放出能量 |
C、比氖原子的原子序數(shù)小3的元素形成的氫化物中可能既含極性鍵又含非極性鍵 |
D、敲除內(nèi)層電子的氖原子結(jié)構(gòu)示意圖為 |
A、催化劑是通過(guò)降低反應(yīng)所需的活化能來(lái)增大反應(yīng)速率的 | B、對(duì)于有氣體參加的反應(yīng),壓強(qiáng)增大,單位體積內(nèi)的活化分子數(shù)增多,發(fā)生有效碰撞的機(jī)會(huì)增多,反應(yīng)速率加快 | C、發(fā)生碰撞的分子只要具有足夠的能量,就能夠發(fā)生有效碰撞 | D、光、電磁波、超聲波等因素會(huì)對(duì)反應(yīng)速率產(chǎn)生影響 |
已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素,Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28,且次外層有2個(gè)未成對(duì)電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M(M可看做一種含氧酸鹽)。M有顯著的“壓電性能”,應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析,M晶體的最小重復(fù)單位為正方體(如右圖),邊長(zhǎng)為4.03×10-10 m,頂點(diǎn)位置為Z4+所占,體心位置為Ba2+所占,所有棱心位置為O2-所占。
⑴Y在周期表中位于______________;Z4+的核外電子排布式為_(kāi)_____________;
⑵X的該種氫化物分子構(gòu)型為_(kāi)__________,X在該氫化物中以_____________方式雜化。X和Y
形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_____________(填“高于”或“低于”)X氫化物的熔點(diǎn)。
⑶①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________;
②在M晶體中,若將Z4+置于立方體的體心,Ba2+置于立方體的頂點(diǎn),則O2-處于立方體的______;
③在M晶體中,Z4+的氧配位數(shù)為_(kāi)_______;
④已知O2-半徑為1.40×10-10 m,則Z4+半徑為_(kāi)__________m。
已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素,Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28,且次外層有2個(gè)未成對(duì)電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M(M可看做一種含氧酸鹽)。M有顯著的“壓電性能”,應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析,M晶體的最小重復(fù)單位為正方體(如右圖),頂點(diǎn)位置為Z4+所占,體心位置為Ba2+所占,所有棱心位置為O2-所占。
⑴Y在周期表中位于______________;Z4+的核外電子排布式為_(kāi)_____________;
⑵X的該種氫化物分子構(gòu)型為_(kāi)__________,X在該氫化物中以_____________方式雜化。X和Y形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_______(填“高于”或“低于”)X該氫化物的熔點(diǎn)。
⑶①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________;
②在M晶體中,若將Z4+置于立方體的體心,Ba2+置于立方體的頂點(diǎn),則O2-處于立方體的______;
③在M晶體中,Z4+的氧配位數(shù)為_(kāi)_______;
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