A. “天宮二號(hào)”繞地球做勻速圓周運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，受到恒力的作用

B. “天舟一號(hào)”發(fā)射速度大于7.9km/s且小于11.2km/s

C. 根據(jù)“天宮二號(hào)”離地面的高度，可計(jì)算出地球的質(zhì)量

D. “天舟一號(hào)”必須加速才能與“天宮二號(hào)”對(duì)接

A. M、N兩點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度等大反向

B. 在x軸上從M點(diǎn)到N點(diǎn)，電勢(shì)先降低后升高

C. 在x軸上M點(diǎn)左側(cè)、N點(diǎn)右側(cè)都存在場(chǎng)強(qiáng)為零的點(diǎn)

D. 負(fù)檢驗(yàn)電荷在M點(diǎn)具有的電勢(shì)能比其在N點(diǎn)的電勢(shì)能多

A. 加速度

B. 力

C. 電場(chǎng)強(qiáng)度

D. 功

A．v1方向 B．v2方向 C．v3方向 D．v4方向

A. a的向心加速度等于重力加速度g

B. c在4 h內(nèi)轉(zhuǎn)過(guò)的圓心角是

C. b在相同時(shí)間內(nèi)轉(zhuǎn)過(guò)的弧長(zhǎng)最長(zhǎng)

D. d的運(yùn)動(dòng)周期有可能是20 h

【題目】如圖所示，導(dǎo)電物質(zhì)為電子的霍爾元件位于兩串聯(lián)線圈之間，線圈中電流為I，線圈間產(chǎn)生勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B與I成正比，方向垂直于霍爾元件的兩側(cè)面，此時(shí)通過(guò)霍爾元件的電流為IH，與其前后表面相連的電壓表測(cè)出的霍爾電壓UH滿足：UH=k，式中k為霍爾系數(shù)，d為霍爾元件兩側(cè)面間的距離．電阻R遠(yuǎn)大于RL，霍爾元件的電阻可以忽略，則（ ）

A. 霍爾元件前表面的電勢(shì)低于后表面

B. 若電源的正負(fù)極對(duì)調(diào)，電壓表將反偏

C. IH與I成正比

D. 電壓表的示數(shù)與RL消耗的電功率成正比

【題目】如圖所示，為一個(gè)均勻透明介質(zhì)球，球心位于O點(diǎn)，半徑為R。一束單色光從真空中沿DC方向平行于直徑AOB射到介質(zhì)球上的C點(diǎn)，DC與AB的距離H＝R/2.若該光束射入球體經(jīng)一次反射后由E點(diǎn)(圖中未標(biāo)出)再次折射回真空中，此時(shí)的出射光線剛好與入射光線平行，已知光在真空中的速度為c，則

A.介質(zhì)球的折射率為n=3

B．若增大入射光的頻率，則該出射光線仍與入射光線平

C．光束從C點(diǎn)射入到從B點(diǎn)射出所經(jīng)歷的總時(shí)間為6R/c

D．若介質(zhì)球的折射率增大，則該出射光線仍與入射光線平行

【題目】有中子轟擊原子核產(chǎn)生裂變反應(yīng)，其可能的裂變方程為→ ， 、、、的質(zhì)量分別為m1、m2、m3、m4， 原子核的半衰期為T，其比結(jié)合能小于原子核的比結(jié)合能，光在真空中的傳播速度為c，下列敘述正確的是（　　）

A. 原子核比原子核更穩(wěn)定

B. 原子核中含有56個(gè)中子

C. 裂變時(shí)釋放的能量為（m1-2m2-m3-m4）c2

D. 若提高的溫度， 的半衰期將會(huì)小于T

A．開(kāi)始時(shí)ab棒離導(dǎo)軌右端的距離

B．磁場(chǎng)力對(duì)ab棒所做的功

C．磁場(chǎng)力對(duì)ab棒的沖量大小

D．ab棒在導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng)時(shí)間

A. 千克 秒 米 B. 牛 千克 秒

C. 厘米 克 秒 D. 質(zhì)量 長(zhǎng)度 時(shí)間