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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如右圖所示空間有垂直紙面向外的勻強磁場,一質(zhì)量為m="1" kg的帶正電的絕緣小滑塊,沿斜面先向上運動,當滑到最高點后又沿斜面下滑。關(guān)于滑塊在斜面上的整個運動中所受的洛倫茲力方向,下列說法正確的是?
A.一直垂直斜面向上?
B.一直垂直斜面向下?
C.先垂直斜面向上后垂直斜面向下?
D.先垂直斜面向下后垂直斜面向上?

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科目: 來源:不詳 題型:計算題

(18分)如圖,兩根足夠長平行光滑的金屬導(dǎo)軌相距為l,導(dǎo)軌與水平面夾角為θ,并處于磁感應(yīng)強度為B2、方向垂直導(dǎo)軌平面向下的勻強磁場中。兩金屬導(dǎo)軌的上端與阻值為R的燈泡連接,并連接水平放置、長和寬都為d的平行金屬板,板內(nèi)存在垂直紙面向里的磁感應(yīng)強度為B1的勻強磁場。長為l的金屬棒ab垂直于金屬導(dǎo)軌,且始終與導(dǎo)軌接觸良好。當金屬棒固定不動時,質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子流沿中線射入金屬板內(nèi),恰好在金屬板的左下邊沿穿出。粒子重力不計,重力加速度為g,導(dǎo)軌和金屬棒的電阻不計。
(1) 粒子流帶何種電荷,速度多大?
(2) 現(xiàn)將金屬棒由靜止釋放,待棒沿導(dǎo)軌勻速下滑后,粒子流水平通過,求金屬棒質(zhì)量M。

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,在一根一端封閉、內(nèi)壁光滑的直管MN內(nèi)有一個帶正電的小球,空間中充滿豎直向下的勻強磁場。開始時,直管水平放置,且小球位于管的封閉端M處,F(xiàn)使直管沿水平方向向右勻速運動,經(jīng)一段時間后小球到達管的開口端N處。在小球從M到N的過程中
A.磁場對小球不做功
B.直管對小球做正功
C.小球所受磁場力的方向不變
D.小球的運動軌跡是一直線

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

某單色光照射到一逸出功為W的光電材料表面,所產(chǎn)生的光電子在垂直于磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中做圓周運動的最大半徑為r,設(shè)電子的質(zhì)量為m,帶電量為e,普朗克常量為h,則該光波的頻率為(   ) 
A.B.C.-D.+

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

陰極射線是從陰極射線管的陰極發(fā)出的高速運動的粒子流,這些微觀粒子是 _____.若在如圖所示的陰極射線管中部加上垂直于紙面向外的磁場,陰極射線將_____(填“向上”、“向下”、“向里”或“向外”)偏轉(zhuǎn)。

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

如圖將一金屬薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時,另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。且滿足U=kIB/d,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù);卮鹣铝袉栴}
(1)關(guān)于c、f兩側(cè)面哪面的電勢較高?     (填  c或f );
(2)其他條件不變,只增加磁感應(yīng)強度B的大小,霍爾電壓Um會怎樣變化?     (填增大或減。

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如右圖所示,空間存在水平向左的勻強電場和垂直紙面向里的勻強磁場,電場和磁場相互垂直.在電磁場區(qū)域中,有一個豎直放置的光滑絕緣圓環(huán),環(huán)上套有一個帶正電的小球.O點為圓環(huán)的圓心,a、b、c為圓環(huán)上的三個點,a點為最高點,c點為最低點,Ob沿水平方向.已知小球所受電場力與重力大小相等.現(xiàn)將小球從環(huán)的頂端a點由靜止釋放.下列判斷正確的是
A.當小球運動的弧長為圓周長的1/4時,洛倫茲力最大
B.當小球運動的弧長為圓周長的1/2時,洛倫茲力最大
C.小球從a點到b點,重力勢能減小,電勢能增大
D.小球從b點到c點,電勢能增大,動能先增大后減小

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如圖,光滑半圓形軌道與光滑曲面軌道在B處平滑連接,前者置于水平向外的勻強磁場中,有一帶正電小球從A靜止釋放,且能沿軌道前進,并恰能通過半圓形軌道最高點C.現(xiàn)若撤去磁場,使球從靜止釋放仍能恰好通過半圓形軌道最高點,則釋放高度H′與原釋放高度H的關(guān)系是

A.H′<H                             
B.H′=H
C.H′>H                             
D.無法確定

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,有理想邊界的勻強磁場方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強度大小為B,某帶電粒子的比荷(電荷量與質(zhì)量之比)大小為k,由靜止開始經(jīng)電壓為U的電場加速后,從O點垂直射入磁場,又從P點穿出磁場.下列說法正確的是(不計粒子所受重力)
A.如果只增加U,粒子可以從dP之間某位置穿出磁場
B.如果只減小B,粒子可以從ab邊某位置穿出磁場
C.如果既減小U又增加B,粒子可以從bc邊某位置穿出磁場
D.如果只增加k,粒子可以從dP之間某位置穿出磁場

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi),充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場.一帶電粒子a(不計重力)以一定的初速度由左邊界的O點射入磁場、電場區(qū)域,恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點(圖中未標出)穿出.若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變,另一個同樣的粒子b(不計重力)仍以相同初速度由O點射入,從區(qū)域右邊界穿出,則粒子b
A.穿出位置一定在O′點下方
B.穿出位置一定在O′點上方
C.運動時,在電場中的電勢能一定減小
D.在電場中運動時,動能一定減小

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同步練習冊答案