科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.電場(chǎng)線越密的地方,同一試探電荷受到的電場(chǎng)力就越大; |
B.電場(chǎng)線就是電荷在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡; |
C.電場(chǎng)線彎曲的地方是非勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)線為直線的地方是勻強(qiáng)電場(chǎng); |
D.不存在兩條平行的電場(chǎng)線。 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.電場(chǎng)是假想的,并不是客觀存在的物質(zhì) |
B.沿電場(chǎng)線的方向,電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)都一定減小 |
C.在電場(chǎng)中無論移動(dòng)正電荷還是負(fù)電荷,只要電場(chǎng)力做正功,電荷電勢(shì)能都要減少 |
D.電容器的電容與帶電量成正比,與電勢(shì)差成反比 |
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科目: 來源:不詳 題型:計(jì)算題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.電場(chǎng)線方向由B指向A,該電荷受到的電場(chǎng)力越來越。 |
B.電場(chǎng)線方向由B指向A,該電荷受到的電場(chǎng)力大小變化無法確定. |
C.電場(chǎng)力對(duì)該電荷做負(fù)功,電荷的電勢(shì)能增加 |
D.電場(chǎng)力對(duì)該電荷做正功,電荷的電勢(shì)能減少 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.不論圖中實(shí)線是電場(chǎng)線還是等勢(shì)線,a點(diǎn)的電勢(shì)都比b點(diǎn)低 |
B.不論圖中實(shí)線是電場(chǎng)線還是等勢(shì)線,a點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)都比b點(diǎn)小 |
C.如果圖中實(shí)線是電場(chǎng)線,則電子在a點(diǎn)動(dòng)能較小 |
D.如果圖中實(shí)線是等勢(shì)線,則電子在b點(diǎn)動(dòng)能較大 |
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.100V/m 由a指向b | B.100V/m 由b指向a |
C.160V/m 由a指向c | D.160V/m 由c指向a |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.帶電粒子在a點(diǎn)的動(dòng)能較大 |
B.帶電粒子在a點(diǎn)的加速度較大 |
C.帶電粒子在b點(diǎn)的動(dòng)能較大 |
D.帶電粒子在b點(diǎn)的加速度較大 |
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