下列關(guān)于電場(chǎng)強(qiáng)度的說法中，正確的是（   ）
A．公式只適用于真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)
B．由公式可知，電場(chǎng)中某點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E與試探電荷在電場(chǎng)中該點(diǎn)所受電場(chǎng)力成正比
C．在公式中，是點(diǎn)電荷Q2產(chǎn)生的電場(chǎng)在點(diǎn)電荷Q1處的場(chǎng)強(qiáng)大�。�是點(diǎn)電荷Q1產(chǎn)生的電場(chǎng)在點(diǎn)電荷Q2處的場(chǎng)強(qiáng)大小
D．由公式可知，在離點(diǎn)電荷非常靠近的地方（r→0），電場(chǎng)強(qiáng)度E可達(dá)無窮大
C

試題分析：公式為電場(chǎng)強(qiáng)度的定義式，適用于任何情形，故選項(xiàng)A錯(cuò)誤；電場(chǎng)中某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)與電場(chǎng)本身有關(guān)，與試探電荷的電量和所受電場(chǎng)力無關(guān)，故選項(xiàng)B錯(cuò)誤；由庫(kù)侖定律與電場(chǎng)強(qiáng)度的定義式可知選項(xiàng)C正確；當(dāng)所選的點(diǎn)離帶電體很近時(shí)，帶電體不能看成點(diǎn)電荷，點(diǎn)電荷的場(chǎng)強(qiáng)公式公式不再成立，故選項(xiàng)D錯(cuò)誤．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

（18分）（1）如圖所示為一塊長(zhǎng)為a，寬為b，厚為c的金屬霍爾元件放在直角坐標(biāo)系中，電流為I，方向沿x軸正方向，強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)沿y軸正方向，單位體積內(nèi)自由電子數(shù)為，自由電子的電量為e，與z軸垂直的兩個(gè)側(cè)面有穩(wěn)定的霍爾電壓。則          電勢(shì)高（填“上表面”或“下表面”），霍爾電壓=            。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，分別在M、N兩點(diǎn)固定放置兩個(gè)點(diǎn)電荷+Q和－q (Q>q) ，以MN連線的中點(diǎn)O為圓心的圓周上有A、B、C、D四點(diǎn)。下列說法中正確的是

A．A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于B點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)
B．C點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)與D點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)相同
C．A點(diǎn)電勢(shì)小于B點(diǎn)電勢(shì)
D．將某正電荷從C點(diǎn)移到O點(diǎn)，電場(chǎng)力做負(fù)功

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是
A．電勢(shì)公式只適用于點(diǎn)電荷產(chǎn)生電場(chǎng)
B．電場(chǎng)中某一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小與放入電場(chǎng)中的檢驗(yàn)電荷的電量多少有關(guān)
C．電容公式只適用于平行板電容器
D．點(diǎn)電荷是一種理想化的物理模型

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

對(duì)于由點(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電場(chǎng)，下列說法正確的是
A．電場(chǎng)強(qiáng)度的表達(dá)式為式中的Q就是產(chǎn)生電場(chǎng)的點(diǎn)電荷所帶電荷量
B．在真空中，點(diǎn)電荷產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度的表達(dá)式為，式中Q就是產(chǎn)生電場(chǎng)的點(diǎn)電荷所帶電荷量
C．在真空中，式中Q是試探電荷所帶電荷量
D．點(diǎn)電荷產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度的表達(dá)式E=，與是否真空無關(guān)

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，在兩等量異種點(diǎn)電荷的電場(chǎng)中，MN為兩電荷連線的中垂線，a、b、c三點(diǎn)所在直線平行于兩電荷的連線，且a與c關(guān)于MN對(duì)稱，b點(diǎn)位于MN上，d點(diǎn)位于兩電荷的連線上。則以下判斷正確的是
A．b點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于d點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)
B．b點(diǎn)電勢(shì)高于d點(diǎn)電勢(shì)
C．試探電荷＋q在a點(diǎn)的電勢(shì)能小于在c點(diǎn)的電勢(shì)能
D．a(chǎn)、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差等于b、c兩點(diǎn)的電勢(shì)差

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

真空中Ox坐標(biāo)軸上的某點(diǎn)有一個(gè)點(diǎn)電荷Q，坐標(biāo)軸上A、B兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為0.2m和0.7m。在A點(diǎn)放一個(gè)帶正電的試探電荷，在B點(diǎn)放一個(gè)帶負(fù)電的試探電荷，A、B兩點(diǎn)的試探電荷受到電場(chǎng)力的方向都跟x軸正方向相同，電場(chǎng)力的大小F跟試探電荷電量q的關(guān)系分別如圖中直線a、b所示。下列說法正確的是（    ）

A．B點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為0.25N/C
B．A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的方向沿x軸負(fù)方向
C．點(diǎn)電荷Q是正電荷
D．點(diǎn)電荷Q的位置坐標(biāo)為0.3m

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，兩等量異種電荷分別位于A、B兩點(diǎn)，其中A處電荷為正電荷，過O點(diǎn)做AB連線的垂線，已知AO>BO，M、N是垂線上的兩點(diǎn)，則下列說法中正確的是：

A．M點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于N點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)
B．M點(diǎn)電勢(shì)低于N點(diǎn)電勢(shì)
C．一個(gè)負(fù)的試探電荷在M點(diǎn)電勢(shì)能大于在N點(diǎn)電勢(shì)能
D．一個(gè)正的試探電荷在M點(diǎn)電勢(shì)能大于在N點(diǎn)電勢(shì)能

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖幾種典型的電場(chǎng)，其中a、b兩點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均相等的是（  ）

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同步練習(xí)冊(cè)答案