【題目】如圖所示，在真空云室中的矩形ABCD區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，靜止放置在O點(diǎn)的鈾238原子核發(fā)生衰變，放出射線后變成某種新的原子核，兩段曲線是反沖核（新核）和射線的徑跡，曲線OP為圓弧，x軸過O點(diǎn)且平行于AB邊。下列說法正確的是（ ）

A.鈾238原子核發(fā)生的是β衰變，放出的射線是高速電子流

B.曲線OP是射線的徑跡，曲線OQ是反沖核的徑跡

C.改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小，反沖核和射線圓周運(yùn)動的半徑關(guān)系隨之改變

D.曲線OQ是α射線的徑跡，其圓心在x軸上，半徑是曲線OP半徑的45倍

【答案】D

【解析】

AD．衰變過程中動量守恒，因初動量為零，故衰變后兩粒子動量大小相等，方向相反，由圖像可知，原子核發(fā)生的是α衰變，粒子做圓周運(yùn)動向心力等于洛倫茲力

得

由于反沖核的電荷量比α射線大，則半徑更小，即曲線OQ是射線的徑跡，曲線OP是反沖核的徑跡，由于曲線OP為圓弧，則其圓心在x軸上，射線初速度與x軸重直，新核初速度與x軸垂直，所以新核做圓周運(yùn)動的圓心在x軸上

由質(zhì)量數(shù)守恒和電荷數(shù)守恒可知反沖核的電荷量是α粒子的45倍，由半徑公式可知，軌道半徑之比等于電荷量的反比，則曲線OQ半徑是曲線OP半徑的45倍，故A錯(cuò)誤，D正確。

BC．由動量守恒可知

粒子做圓周運(yùn)動向心力等于洛倫茲力

得

由于反沖核的電荷量比α射線大，則半徑更小，即曲線OQ是射線的徑跡，曲線OP是反沖核的徑跡，反沖核的半徑與射線的半徑之比等于電荷量的反比，由于電荷量之比不變，則改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小，反沖核和射線圓周運(yùn)動的半徑關(guān)系不變，故BC錯(cuò)誤。

故選D。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某同學(xué)通過實(shí)驗(yàn)測定一捆長度約為100m的銅導(dǎo)線（電阻約為1.5Ω）的實(shí)際長度，首先利用螺旋測微器測量其直徑，如圖1所示，再利用下列器材測出銅導(dǎo)線的電阻。

可供使用的器材有

電流表：量程0.6A，內(nèi)阻約0.2Ω；

電壓表：量程3V，內(nèi)阻約9kΩ；

滑動變阻器R1：最大阻值10Ω；

滑動變阻器R2：最大阻值200Ω；

定值電阻：R0=3Ω

電源：電動勢6V，內(nèi)阻可不計(jì)；

開關(guān)、導(dǎo)線若干

要求實(shí)驗(yàn)中盡可能準(zhǔn)確地測量銅導(dǎo)線的阻值，回答下列問題：

(1)由圖1可知，銅導(dǎo)線的直徑D=_____________mm。

(2)實(shí)驗(yàn)中滑動變阻器應(yīng)選________（選填“R1”或“R2”）。

(3)在圖2方框內(nèi)畫出測量銅導(dǎo)線阻值的電路圖_______（銅導(dǎo)線用電阻元件符號表示）。

(4)調(diào)節(jié)滑動變阻器，電壓表的示數(shù)為U，電流表的示數(shù)為I，銅的電阻率為ρ，不考慮電表內(nèi)阻對實(shí)驗(yàn)的影響，則導(dǎo)線的長度為_____________（用已知和所測量的字母表示）。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】場是物質(zhì)存在的一種形式。我們可以通過物體在場中的受力情況來研究場的強(qiáng)弱等特點(diǎn)。將電流元IL垂直于磁場方向放入磁場中某處時(shí)，電流元所受到的磁場力F與電流元之比叫做該點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度，即：

(1)請根據(jù)磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義特點(diǎn)寫出電場強(qiáng)度的定義，并說明各物理量的含義；

(2)請根據(jù)磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義特點(diǎn)寫出重力場強(qiáng)度的定義，并說明各物理量的含義。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖甲所示，一匝數(shù)N=10匝、總電阻R=7.5Ω、ad長L1=0.4m、ab寬L2=0.2m的勻質(zhì)矩形金屬線框靜止在粗糙水平面上，線框的bc邊正好過半徑r=0.1m的圓形磁場的直徑，線框的左半部分處于垂直線框平面向上的勻強(qiáng)磁場區(qū)域內(nèi)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B0=1T，圓形磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直線框平面向下，大小隨時(shí)間變化規(guī)律如圖乙所示，已知線框與水平面間的最大靜摩擦力f=1.2N，π≈3，則

A. t=0時(shí)刻穿過線框的磁通量大小為0.01Wb

B. 線框靜止時(shí)，線框中的感應(yīng)電流為0.2A

C. 線框靜止時(shí)，ad邊所受安培力水平向左，大小為0.8N

D. 經(jīng)時(shí)間t=2s，線框開始滑動

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】用圖示裝置可以檢測霍爾效應(yīng)。利用電磁鐵產(chǎn)生磁場，電流表檢測輸入霍爾元件的電流，電壓表檢測元件輸出的電壓。已知圖中的霍爾元件是半導(dǎo)體，與金屬導(dǎo)體不同，它內(nèi)部形成電流的“載流子”是空穴，空穴可視為能自由移動的帶正電的粒子。圖中的1、2、3、4是霍爾元件上的四個(gè)接線端。當(dāng)開關(guān)S1、S2閉合后，電流表A和電流表B、C都有明顯示數(shù)，下列說法中正確的是

A. 電表B為電壓表，電表C為電流表

B. 接線端4的電勢低于接線端2的電勢

C. 若調(diào)整電路，使通過電磁鐵和霍爾元件的電流與原電流方向相反，但大小不變，則電壓表的示數(shù)將保持不變

D. 若增大R1、增大R2，則電壓表示數(shù)增大

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一定質(zhì)量的理想氣體由狀態(tài)A經(jīng)狀態(tài)B變化到狀態(tài)C的P-V圖象如圖所示。若已知在A狀態(tài)時(shí)，理想氣體的溫度為320K，則下列說法正確的是_______(已知)

A. 氣體在B狀態(tài)時(shí)的溫度為720K

B. 氣體分子在狀態(tài)A分子平均動能大于狀態(tài)C理想氣體分子平均動能

C. 氣體從狀態(tài)A到狀態(tài)C的過程中氣體對外做功

D. 氣體從狀態(tài)A到狀態(tài)C的過程中氣體溫度先降低后升高

E. 氣體從狀態(tài)A到狀態(tài)C的過程中氣體吸收熱量為900 J

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，三段長度相等的直導(dǎo)線a、b、c相互平行處在同一豎直面內(nèi)，a、b間的距離等于b、c間的距離，通電電流Ia＜Ib＜Ic，方向如圖所示，則下列判斷正確的是（ ）

A.導(dǎo)線b受到的安培力可能為0

B.導(dǎo)線a受到的安培力可能為0

C.導(dǎo)線c受到的安培力的方向一定向左

D.導(dǎo)線a、b受到的安培力的方向一定相同

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示為氫原子的能級圖，用某種頻率的光照射大量處于基態(tài)的氫原子，結(jié)果受到激發(fā)后的氫原子能輻射出六種不同頻率的光子。讓輻射出的光子照射某種金屬，所有光線中，有三種不同波長的光可以使該金屬發(fā)生光電效應(yīng)，則下列有關(guān)說法中正確的是（　　）

A.受到激發(fā)后的氫原子處于n=6能級上

B.該金屬的逸出功小于10.2eV

C.該金屬的逸出功大于12.75eV

D.光電子的最大初動能一定大于2.55eV

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】已知天然材料的折射率都為正值(n>0)。近年來，人們針對電磁波某些頻段設(shè)計(jì)的人工材料，可以使折射率為負(fù)值(n<0)，稱為負(fù)折射率介質(zhì)。電磁波從正折射率介質(zhì)入射到負(fù)折射介質(zhì)時(shí)，符合折射定律，但折射角為負(fù)，即折射線與入射線位于界面法線同側(cè)，如圖1所示。點(diǎn)波源S發(fā)出的電磁波經(jīng)一負(fù)折射率平板介質(zhì)后，在另一側(cè)成實(shí)像。如圖2所示，其中直線SO垂直于介質(zhì)平板，則圖中畫出的4條折射線（標(biāo)號為1、2、3、4）之中，正確的是（　�。�

A.1B.2

C.3D.4

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