如圖所示,勻強磁場區(qū)域?qū)挒閐,一正方形線框abcd的邊長為l,且l>d,線框電阻的大小為r,以恒定的速度v通過磁場區(qū)域,從線框剛進入到完全離開磁場的這段時間內(nèi),下列說法正確的是

A.bc邊剛進入磁場和ad邊剛進入磁場時產(chǎn)生的感應(yīng)電流的方向是相反的

B.維持線框勻速通過磁場全過程中都要施加恒力

C.在整個過程中電阻產(chǎn)生的熱量

D.線框中沒有感應(yīng)電流的時間是

 

【答案】

AD

【解析】

試題分析:進入時產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢為Blv,導(dǎo)體棒受到的安培力為,由于勻速進入磁場,所以剛開始進入外力F即為。但是由于L>d,說明完全進入后,在外力就要等于零,所以B錯。根據(jù)右手定則,可以判斷,bc進入與bc邊出去時切割磁感線產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反,所以A正確。線框進入時產(chǎn)生的熱量為克服安培力做功即,出磁場也以該速度出磁場,所以整個過程,所以C錯。根據(jù)剛才分析線框中沒有感應(yīng)電流的時間是,所以D正確

考點:考查法拉第電磁感應(yīng)定律、動能定理

點評:難度中等,此類題型考察切割磁感線這類問題常見的公式以及相關(guān)分析,例如所受安培力、安培力做功等

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

在方向如圖所示的勻強電場(場強為E)和勻強磁場(磁感應(yīng)強度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

在方向如圖所示的勻強電場(場強為E)和勻強磁場(磁感應(yīng)強度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2012?長寧區(qū)一模)如圖所示,勻強磁場磁感應(yīng)強度 B=0.2T,磁場寬度 L=0.3m,一正方形金屬框邊長 ab=0.1m,每邊電阻R=0.2Ω,金屬框在拉力F作用下以v=10m/s的速度勻速穿過磁場區(qū),其平面始終保持與磁感線方向垂直.求:
(1)畫出金屬框穿過磁場區(qū)的過程中,金屬框內(nèi)感應(yīng)電流i和a、b兩端電壓Uab隨時間t的變化圖線(規(guī)定以adcba為正方向);
(2)金屬框穿過磁場區(qū)域的過程中,拉力F做的功;
(3)金屬框穿過磁場區(qū)域的過程中,導(dǎo)線ab上所產(chǎn)生的熱量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在如圖所示的勻強電場(場強為E)和勻強磁場(磁感應(yīng)強度為B)正交的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則(  )
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運動,射出場區(qū)時,速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運動,射出場區(qū)時,速度v<v0
C、若υ0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運動,射出場區(qū)時,速度υ>υ0
D、若υ0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運動,射出場區(qū)時,速度υ<υ0

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在方向如圖所示的勻強電場(場強為E)和勻強磁場(磁感應(yīng)強度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0 射入場區(qū),則( 。
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運動,射出場區(qū)時,速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運動,射出場區(qū)時,速度v<v0
C、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運動,射出場區(qū)時,速度v<v0
D、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運動,射出場區(qū)時,速度v<v0

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