太陽系外行星大多不適宜人類居住，繞恒星“Glicsc581”運行的行星“Gl﹣581c”卻很值得我們期待．該行星的溫度在0℃到40℃之間，質(zhì)量是地球的6倍，直徑是地球的1．5倍．公轉(zhuǎn)周期為13個地球日．“Glicsc581”的質(zhì)量是太陽質(zhì)量的0．31倍．設該行星與地球均視為質(zhì)量分布均勻的球體，繞其中心天體做勻速圓周運動，則（ ）

A. 在該行星和地球上發(fā)射衛(wèi)星的第一宇宙速度相同

B. 如果人到了該行星，其體重是地球上的2倍

C. 該行星與“Glicsc581”的距離是日地距離的倍

D. 恒星“Glicsc581”的密度是地球的倍

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源：2016-2017學年山東省高一12月考物理試卷（解析版） 題型：計算題

如圖所示，水平地面上一重60N的物體，在與水平面成30°角斜向上的大小為20N的拉力F作用下做勻速運動，求地面對物體的支持力和地面對物體的摩擦力大小。

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科目：高中物理 來源：2016-2017學年寧夏高一上學期期中考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

甲、乙兩物體均做直線運動，它們在某段時間內(nèi)的位移x隨時間t變化的圖象如圖所示，則在0～t1時間內(nèi)，下列判斷正確的是（ ）

A．甲物體做加速運動

B．甲、乙兩物體運動方向相同

C．甲的平均速度比乙的平均速度大

D．甲、乙兩物體的平均速度大小相等

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科目：高中物理 來源：2016-2017學年寧夏高一上學期期中考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

物體在甲、乙兩地往返一次，從甲到乙的平均速度為v1，返回時的平均速度為v2，則物體往返一次平均速度的大小和平均速率分別是（ ）

A．0， B．，

C．0， D．，

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科目：高中物理 來源：2017屆河北省高三上學期11.25周練物理試卷（解析版） 題型：選擇題

一微粒質(zhì)量為m帶負電荷，電荷量大小是q，如圖所示，將它以一定初速度在磁場中P點釋放以后，它就做勻速直線運動，已知勻強磁場的磁感應強度為B，空氣對微粒的阻力大小恒為f，則關于微粒做勻速直運動下列描述中正確的是（ ）

A. 微粒不可能沿豎直方向上運動

B. 微�？赡苎厮椒较蛏线\動

C. 微粒做勻速運動時的速度v大小為

D. 微粒做勻速運動時的速度v大小為

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科目：高中物理 來源：2017屆河北省高三上學期11.25周練物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，一個質(zhì)量為m的物體（可視為質(zhì)點）以某一速度從A點沖上傾角為的固定斜面，其運動的加速度大小為，該物體在斜面上上升的最大高度為h，則在這個過程中物體的（ ）

A、整個過程中物體機械能守恒

B、重力勢能增加了

C、動能損失了

D、機械能損失了

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科目：高中物理 來源：2017屆河北省高三上學期11.25周練物理試卷（解析版） 題型：選擇題

兩塊大小、形狀完全相同的金屬平板平行放置，構成一平行板電容器，與它相連接的電路如圖所示，接通開關S，電源即給電容器充電．則（ ）

A．保持S接通，減小兩極板間的距離，則兩極板間電場的電場強度減小

B．保持S接通，在兩極板間插入一塊介質(zhì)，則極板上的電荷量增大．

C．斷開S，減小兩極板間的距離，則兩極板間的電勢差增大

D．斷開S，在兩極板間插入一塊介質(zhì)，則兩極板間的電勢差增大

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科目：高中物理 來源：2017屆甘肅省高三12月月考物理試卷（解析版） 題型：計算題

如圖，長木板ab的b端固定一檔板，木板連同檔板的質(zhì)量為M=4．0kg，a、b間距離s=2．0m。木板位于光滑水平面上。在木板a端有一小物塊，其質(zhì)量m=1．0kg，小物塊與木板間的動摩擦因數(shù)μ=0．10，它們都處于靜止狀態(tài)�，F(xiàn)令小物塊以初速v0 =4．0m/s沿木板向右滑動，直到和檔板相撞。碰撞后，小物塊恰好回到a端而不脫離木板。求：

（1）最終二者的速度；

（2）碰撞過程中損失的機械能。

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科目：高中物理 來源：2016屆北京市東城區(qū)高三零模物理試卷（解析版） 題型：選擇題

利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器，廣泛應用于測量和自動控制等領域。圖中一塊長為a、寬為b、厚為c的半導體樣品薄片放在沿y軸正方向的勻強磁場中，磁感應強度大小為B。當有大小為I、沿x軸正方向的恒定電流通過樣品板時，會在與z軸垂直的兩個側(cè)面之間產(chǎn)生電勢差，這一現(xiàn)象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累，于是上、下表面間建立起電場EH，同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時，EH和UH達到穩(wěn)定值，UH的大小與I和B滿足關系UH=kHIB，其中kH稱為霍爾元件靈敏度。已知此半導體材料是電子導電，薄片內(nèi)單位體積中導電的電子數(shù)為n，電子的電荷量為e。下列說法中正確的是

A．半導體樣品的上表面電勢高于下表面電勢

B．霍爾元件靈敏度與半導體樣品薄片的長度a、寬度b均無關

C．在其他條件不變時，單位體積中導電的電子數(shù)n越大，霍爾元件靈敏度越高

D．在其他條件不變時，沿磁場方向半導體薄片的厚度c越大，霍爾元件靈敏度越高

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