有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,區(qū)域的上下邊界MM'、NN'與水平面平行,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向如圖所示,磁場上下邊界的距離為H。一矩形線圈abcd位于豎直平面內(nèi),其質(zhì)量為m,電阻為R,ab邊長L1,bd邊長L2,且L2H,F(xiàn)令線框從離磁場區(qū)域上邊界MM'的距離為h處自由下落, 當(dāng)cd邊已進(jìn)入磁場,ab邊還未進(jìn)入磁場的某一時刻,線框的速度已到達(dá)其完全進(jìn)入磁場前的最大值,線框下落過程中cd邊始終與磁場邊界平行。試求:

(1)線框完全進(jìn)入磁場前速度的最大值;

(2)從線框開始下落到cd邊剛剛到達(dá)磁場區(qū)域下邊界NN'的過程中,磁場作用于線框的安培力所做的功;

(3)線框cd邊剛穿出磁場區(qū)域下邊界NN'時線框的加速度。

 


解:(1)設(shè)速度大小為v1,此時線框的重力和線框ab邊受到的安培力平衡,令此時線框中的電流強(qiáng)度為I1,應(yīng)有BI1L1=mg(2分),(2分),故(2分)

(2)設(shè)線框達(dá)到速度v1時,cd邊進(jìn)入磁場的深度為h1,從下落到此時安培力對線框做功為W1。對于線框由動能定理,得…①(1分)

線框從有速度v1到完全進(jìn)入磁場時,線框作勻速運動,此過程中安培力對線框做功W2,由動能定理有mg(L2-h1)+W2=0…②(1分),

從線框完全進(jìn)入磁場到cd邊剛到磁場區(qū)域下邊界NN'的過程中,線框中無電流,故此過程中安培力對線框所做的功為零(1分),所以整個過程中磁場作用于線框的安培力所做的總功為W=W1+W2 ③,由①、②、③式

可得,W= …④(1分)

(3)設(shè)線框的cd邊剛剛穿出磁場區(qū)域下邊界NN'時線框的速度v2,則從線框剛下落到cd邊穿出磁場的整個過程中,由動能定理,可得mg(h+H)+W=…⑤(1分),

由④、⑤式解得 … ⑥(1分)

線框的cd邊剛出磁場時只有ab邊切割磁感線,使線框中產(chǎn)生感應(yīng)電流,導(dǎo)致ab邊受到向上的安培力,設(shè)此時線框的加速度為a,且設(shè)向下的方向為正方向,則由電磁感應(yīng)定律及牛頓第二定律,有…⑦(1分)

由 ⑥、⑦式可解得<0

所以所求加速度大小 (1分),方向豎直向上。

練習(xí)冊系列答案
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邊長為h的正方形金屬導(dǎo)線框,以圖中所示的位置由靜止開始下落,通過一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場方向水平,且垂直于線框平面,磁場區(qū)域?qū)挒镠,上下邊界如圖中虛線所示.已知H>h,從線框開始下落到完全穿過磁場區(qū)的全過程中(  )

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精英家教網(wǎng)邊長為h的正方形金屬導(dǎo)線框,從圖所示的初始位置由靜止開始下落,通過一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場方向垂直于線框平面,磁場區(qū)寬度等于H,H>h.從線框開始下落到完全穿過磁場區(qū)的整個過程中( 。

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(2009?青浦區(qū)一模)如圖甲所示,一邊長為l的正方形金屬線框位于光滑水平面上,線框的右邊緊貼著豎直向下的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域的邊界.從t=0時刻開始,線框在一水平向右的外力F的作用下從靜止開始做勻加速直線運動,在t0時刻穿出磁場.圖乙為外力F隨時間變化的圖象,圖象中的F0、t0均為已知量,則t=t0時刻線框的速度v=
2l
t0
2l
t0
,t=
3
4
t0時刻線框的發(fā)熱功率P=
9F0l
4t0
9F0l
4t0

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科目:高中物理 來源: 題型:

邊長為h的正方形金屬線框,從圖中所示的位置由靜止開始下落,通過一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場方向水平,且垂直于紙面和線框平面,磁場區(qū)域?qū)挾葹镠(H>h),上下邊界如圖中水平虛線所示.從線框開始下落到完全穿過磁場區(qū)的整個過程中( 。

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科目:高中物理 來源:2012屆度廣東省揭陽市高三學(xué)業(yè)水平考試物理卷 題型:選擇題

邊長為h的正方形金屬導(dǎo)線框,從圖所示的初始位置由靜止開始下落,通過一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場方向垂直于線框平面,磁場區(qū)寬度等于H,Hh。從線框開始下落到完全穿過磁場區(qū)的整個過程中

A.線框中總是有感應(yīng)電流存在

B.線框受到的磁場力的合力的方向有時向上,有時向下

C.線框運動的方向始終是向下的

D.線框速度的大小不一定總是在增加

 

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