分析 (1)根據(jù)φ=BSsinθ,從而求得穿過(guò)平面abcd的磁通量;
(2)根據(jù)導(dǎo)線(xiàn)框處于靜止?fàn)顟B(tài),結(jié)合受力分析,及左手定則確定安培力方向,并根據(jù)力的平衡條件,求得安培力大小,再依據(jù)F=BId,即可求解.
解答 解:(1)根據(jù)磁通量公式,則有:φ=BSsinθ=BLdsinθ,
(2)對(duì)bc邊,根據(jù)力的平衡條件,則有:F=mgtanθ.
因F=BId,
解得:I=$\frac{mgtanθ}{Bd}$
答:(1)穿過(guò)平面abcd的磁通量為BLdsinθ;
(2)線(xiàn)框中電流強(qiáng)度I大小$\frac{mgtanθ}{Bd}$.
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵是根據(jù)力的平衡條件得到偏角與各個(gè)量之間的關(guān)系,掌握安培力表達(dá)式,理解左手定則與右手定則的區(qū)別.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Ea>Eb | B. | Ea<Eb | C. | φa>φb | D. | φa<φb |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)放入正電荷時(shí)受到電場(chǎng)強(qiáng)度的方向向右,當(dāng)放入負(fù)電荷時(shí)受到電場(chǎng)強(qiáng)度的方向向左 | |
B. | 只有在該點(diǎn)放入電荷時(shí),該點(diǎn)才有場(chǎng)強(qiáng) | |
C. | 該點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)方向一定向右 | |
D. | 若放在該點(diǎn)的電荷量增大一倍,電場(chǎng)強(qiáng)度也增大一倍 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | R2為光敏電阻,N為與門(mén)電路 | B. | R2為光敏電阻,N為或門(mén)電路 | ||
C. | R2為光敏電阻,N為非門(mén)電路 | D. | R2為熱敏電阻,N為非門(mén)電路 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 甲選用與門(mén),乙選用或門(mén) | B. | 甲選用與門(mén),乙選用與門(mén) | ||
C. | 甲選用或門(mén),乙選用或門(mén) | D. | 甲選用或門(mén),乙選用與門(mén) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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