07江蘇 63 、2006年美國和俄羅斯的科學(xué)家利用回旋加速器，通過（鈣48）轟擊（锎249）發(fā)生核反應(yīng)，成功合成了第118號元素，這是迄今為止門捷列夫元素周期表中原子序數(shù)最大的元素，實(shí)驗(yàn)表明，該元素的原子核先放出3個相同的粒子x，再連續(xù)經(jīng)過3次α衰變后，變成質(zhì)量為282的第112號元素的原子核，則上述過程中的粒子x是

A．中子      B．質(zhì)子      C．電子      D．α粒子

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

07江蘇  28 （13分）如（a）圖，質(zhì)量為M的滑塊A放在氣墊導(dǎo)軌B上，C為位移傳感器，它能將滑塊A到傳感器C的距離數(shù)據(jù)實(shí)時傳送到計算機(jī)上，經(jīng)計算機(jī)處理后在屏幕上顯示滑塊A的位移－時間（s－t）圖象和速率－時間（v－t）圖象。整個裝置置于高度可調(diào)節(jié)的斜面上，斜面的長度為l、高度為h。（取重力加速度g＝9.8 m/s2，結(jié)果可保留一位有效數(shù)字）

⑴現(xiàn)給滑塊A一沿氣墊導(dǎo)軌向上的初速度，A的v－t圖線如（b）圖所示。從圖線可得滑塊A下滑時的加速度a＝       m/s2 ,摩擦力對滑塊A運(yùn)動的影響       。（填“明顯，不可忽略”或“不明顯，可忽略”）

⑵此裝置還可用來驗(yàn)證牛頓第二定律。實(shí)驗(yàn)時通過改變       ，可驗(yàn)證質(zhì)量一定時，加速度與力成正比的關(guān)系；實(shí)驗(yàn)時通過改變       ，可驗(yàn)證力一定時，加速度與質(zhì)量成反比的關(guān)系。

⑶將氣墊導(dǎo)軌換成滑板，滑塊A換成滑塊A/，給滑塊A/一沿滑板向上的初速度，A/的

s－t圖線如（c）圖。圖線不對稱是由于　　　　　　　　造成的，通過圖線可求得滑板的傾角θ＝　  　　　　　　（用反三角函數(shù)表示），滑塊與滑板間的動摩擦因數(shù)μ＝　　　　　　　　

 

 

 

 

 

 

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

07江蘇 18 、（14分）如圖所示，巡查員站立于一空的貯液池邊，檢查池角處出液口的安全情況。已知池寬為L，照明燈到池底的距離為H。若保持照明光束方向不變，向貯液池中注入某種液體，當(dāng)液面高為時，池底的光斑距離出液口。

⑴試求當(dāng)液面高為時，池底的光斑到出液口的距離x。

⑵控制出液口緩慢地排出液體，使液面以v0的速率勻速下降，試求池底的光斑移動的速率vx。

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科目：高中物理 來源： 題型：

07江蘇  21（16分）如圖所示，空間等間距分布著水平方向的條形勻強(qiáng)磁場，豎直方向磁場區(qū)域足夠長，磁感應(yīng)強(qiáng)度B＝1 T，每一條形磁場區(qū)域的寬度及相鄰條形磁場區(qū)域的間距均為d＝0.5 m，現(xiàn)有一邊長l＝0.2 m、質(zhì)量m＝0.1 kg、電阻R＝0.1 Ω的正方形線框MNOP以v0＝7 m/s的初速從左側(cè)磁場邊緣水平進(jìn)入磁場，求：

⑴線框MN邊剛進(jìn)入磁場時受到安培力的大小F；

⑵線框從開始進(jìn)入磁場到豎直下落的過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q；

⑶線框能穿過的完整條形磁場區(qū)域的個數(shù)n。

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科目：高中物理 來源： 題型：

07江蘇  60（9分）要描繪某電學(xué)元件（最大電流不超過6 mA，最大電壓不超過7 V）的伏安特性曲線，設(shè)計電路如圖，圖中定值電阻R為1 kΩ，用于限流；電流表量程為10 mＡ，內(nèi)阻約為5 Ω；電壓表（未畫出）量程為10 Ｖ，內(nèi)阻約為10 kΩ；電源電動勢E為12 Ｖ，內(nèi)阻不計。

⑴實(shí)驗(yàn)時有兩個滑動變阻器可供選擇：

　　　a、阻值0到200 Ω，額定電流0.3 A

　　　b、阻值０到20 Ω，額定電流0.5 A

      本實(shí)驗(yàn)應(yīng)選的滑動變阻器是　　　　　　（填“a”或“b”）

⑵正確接線后，測得數(shù)據(jù)如下表

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

U（V）

０.00

3.00

6.00

6.16

6.28

6.32

6.36

6.38

6.39

6.40

I（mA）

0.00

0.00

0.00

0.06

0.50

1.00

2.00

3.00

4.00

5.50

a）根據(jù)以上數(shù)據(jù)，電壓表是并聯(lián)在M與

　　　　　　之間的（填“O”或“P”）

     b）根據(jù)以上數(shù)據(jù)，畫出該元件的伏安特性

曲線為                           。

⑶畫出待測元件兩端電壓UMO隨MN間電壓UMN變化的示意圖為（無需數(shù)值）

 


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