Question

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框，邊長(zhǎng)為a，在1位置以速度v₀進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)t=0，若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a)，在3t₀時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v₀并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v-t圖象如圖b所示，則

A. t=0時(shí)，線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav₀
B. 在t₀時(shí)刻線框的速度為v₀－2F t₀/m
線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t₀時(shí)刻線框的速度大
D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中，線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb

Answer 1

BD

分析：（1）圖乙為速度-時(shí)間圖象，斜率表示加速度，根據(jù)圖象分析線框的運(yùn)動(dòng)情況：在0～t₀時(shí)間內(nèi)速度在減小，加速度也在減小，對(duì)應(yīng)甲圖中的進(jìn)入磁場(chǎng)的過程，在t₀～3t₀時(shí)間內(nèi)做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，對(duì)應(yīng)甲圖中的完全在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)過程．
（2）當(dāng)通過閉合回路的磁通量發(fā)生變化時(shí)，閉合回路中產(chǎn)生感應(yīng)電流，所以只有在進(jìn)入和離開磁場(chǎng)的過程中才有感應(yīng)電流產(chǎn)生，根據(jù)安培定則可知，在此過程中才受到安培力．
（3）從1位置到2位置的過程中，外力做的功可以根據(jù)動(dòng)能定理去求解．t因?yàn)閠=0時(shí)刻和t=3t₀時(shí)刻線框的速度相等，進(jìn)入磁場(chǎng)和穿出磁場(chǎng)的過程中受力情況相同，故在位置3時(shí)的速度與t₀時(shí)刻的速度相等，進(jìn)入磁場(chǎng)克服安培力做的功和離開磁場(chǎng)克服安培力做的功一樣多．
解：A．t=0時(shí)，線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為外電壓，總的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為：E=Bav₀，外電壓U_外=E=Bav₀，故A錯(cuò)誤；
B．根據(jù)圖象可知在t₀～3t₀時(shí)間內(nèi)，線框做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，合力等于F，則在t₀時(shí)刻線框的速度為v=v₀-a?2t₀=v₀-．故B正確．
C．線框離開磁場(chǎng)的過程，做減速運(yùn)動(dòng)，位置3速度不一定比t₀時(shí)刻線框的速度大，故C錯(cuò)誤．
D．因?yàn)閠=0時(shí)刻和t=3t₀時(shí)刻線框的速度相等，進(jìn)入磁場(chǎng)和穿出磁場(chǎng)的過程中受力情況相同，故在位置3時(shí)的速度與t₀時(shí)刻的速度相等，進(jìn)入磁場(chǎng)克服安培力做的功和離開磁場(chǎng)克服安培力做的功一樣多．線框在位置1和位置3時(shí)的速度相等，根據(jù)動(dòng)能定理，外力做的功等于克服安培力做的功，即有Fb=Q，所以線框穿過磁場(chǎng)的整個(gè)過程中，產(chǎn)生的電熱為2Fb，故D正確．
故選BD．