【題目】1831年10月28日,法拉第展示了他發(fā)明的圓盤(pán)發(fā)電機(jī),其示意圖如圖所示,水平銅盤(pán)可繞豎直銅軸轉(zhuǎn)動(dòng),兩銅片M、N分別與銅盤(pán)邊緣和銅軸連接,使整個(gè)銅盤(pán)處于豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。M和N之間連接阻值為R的電阻和滑動(dòng)變阻器RP,若從上往下看,銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较?/span>。已知銅盤(pán)的半徑為L,銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為ω,銅盤(pán)連同兩銅片對(duì)電流的等效電阻值為r,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,下列說(shuō)法正確的是
A. 導(dǎo)體R中的電流方向從a到b
B. 銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為
C. 導(dǎo)體R的最大功率為
D. 如果RP=R+r,則滑動(dòng)變阻器的最大功率為
【答案】BCD
【解析】若從上往下看,銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较,根?jù)右手定則可知,導(dǎo)體R中的電流方向從b到a,故A錯(cuò)誤;根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律得:銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為,故B正確;根據(jù)閉合電路歐姆定律得:,則導(dǎo)體R的功率為,當(dāng)時(shí),導(dǎo)體的功率最大,即,故C正確;把導(dǎo)體R等效成電源的內(nèi)阻,則電流的等效內(nèi)阻為,此時(shí)外電路只有,故當(dāng)時(shí),滑動(dòng)變阻器的功率最大,即,故D正確,故選BCD.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】下列關(guān)于研究物理的思想方法的敘述中正確的是
A. 理想化模型是把實(shí)際問(wèn)題理想化,抓住主要因素,忽略次要因素,如:質(zhì)點(diǎn)、合力、向心加速度
B. 重心、交變電流的有效值等概念的建立都體現(xiàn)了等效替代的思想
C. 根據(jù)速度定義式,當(dāng)Δt足夠小時(shí), 就可以表示物體在某時(shí)刻的瞬時(shí)速度,該定義應(yīng)用了控制變量法
D. 用比值法定義的物理量在物理學(xué)中占有相當(dāng)大的比例,如: 、
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】下列說(shuō)法中正確的是_________
A.如圖甲所示為熱機(jī)工作能流分配圖,如果在理想情況下沒(méi)有任何漏氣、摩擦、不必要的散熱損失,熱機(jī)的效率會(huì)達(dá)到100%
B.如圖乙所示為分子間的引力和斥力隨分子間距離變化的關(guān)系圖,若兩分子間距從r0開(kāi)始逐漸增大,則分子力先變大后變小,分子勢(shì)能逐漸變大
C.如圖丙所示為某理想氣體分子速率分布圖象,由圖可知與0℃相比,100℃時(shí)速率大的分子所占比例較多
D.在某樣品薄片上均勻涂上一層石蠟,然后用灼熱的金屬尖接觸樣品的背面,結(jié)果得到如圖丁所示石蠟熔化的圖樣,則該樣品一定為非晶體
E.如圖戊所示,透明塑料瓶?jī)?nèi)有少量水,水上方有水蒸氣。用橡膠皮塞把瓶口塞住,向瓶?jī)?nèi)打氣,當(dāng)瓶塞跳出時(shí),瓶?jī)?nèi)會(huì)出現(xiàn)“白霧”,這時(shí)由于氣體膨脹對(duì)外做功溫度降低造成的
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,空間分布著勻強(qiáng)電場(chǎng),場(chǎng)中有與電場(chǎng)方向平行的四邊形ABCD,其中M為AD的中點(diǎn),Ⅳ為BC的中點(diǎn)。將電荷量為+q的粒子,從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn),電勢(shì)能減小E1;將該粒子從D點(diǎn)移動(dòng)到C點(diǎn),電勢(shì)能減小E2。下列說(shuō)法正確的是
A. D點(diǎn)的電勢(shì)一定比A點(diǎn)的電勢(shì)高
B. 勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度方向必沿DC方向
C. 若A、B之間的距離為d,則該電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度的最小值為
D. 若將該粒子從M點(diǎn)移動(dòng)到N點(diǎn),電場(chǎng)力做功
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示為一上、下表面面積足夠大的玻璃磚,玻璃磚內(nèi)有一圓錐真空區(qū),圓錐頂角∠ACB= 90°,圓錐底面與玻璃磚上、下表面平行,圓錐底面AB的中點(diǎn)O處有一紅色點(diǎn)光源,光線只射向AB上方區(qū)域。O點(diǎn)離玻璃磚上表面距離5d,圓錐頂點(diǎn)C離玻璃磚上表面的距離為dtan75°。已知玻璃對(duì)紅光的折射率n= ,求玻璃磚上表面有光線射出的區(qū)域的面積。(不考慮光線的反射)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,質(zhì)量為M的足夠長(zhǎng)氣缸開(kāi)口向下與大氣連通,放在水平地面上。氣缸內(nèi)部有一個(gè)質(zhì)量為m的活塞,氣缸內(nèi)部的橫截面積為S,初始時(shí)活塞靜止,距離氣缸底部為h,熱力學(xué)溫度為T。已知大氣壓強(qiáng)為p0,重力加速度為g。(不計(jì)氣缸內(nèi)氣體的重量及活塞與氣缸壁間的摩擦)
①若將活塞上方氣體的熱力學(xué)溫度升高到2T,則活塞下降的距離?
②若保持溫度為T不變,現(xiàn)用手握住活塞手柄緩慢向上推,求將氣缸剛推離地面時(shí)活塞上升的距離為多少?
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】1831年10月28日,法拉第展示了他發(fā)明的圓盤(pán)發(fā)電機(jī),其示意圖如圖所示,水平銅盤(pán)可繞豎直銅軸轉(zhuǎn)動(dòng),兩銅片M、N分別與銅盤(pán)邊緣和銅軸連接,使整個(gè)銅盤(pán)處于豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。M和N之間連接阻值為的電阻和滑動(dòng)變阻器,若從上往下看,銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较?/span>。已知銅盤(pán)的半徑為,銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為,銅盤(pán)連同兩銅片對(duì)電流的等效電阻值為r,磁感應(yīng)強(qiáng)度為,下列說(shuō)法正確的是
A. 導(dǎo)體中的電流方向從a到b
B. 銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為
C. 導(dǎo)體的最大功率為
D. 如果,則滑動(dòng)變阻器的最大功率為
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,間距為L的足夠長(zhǎng)的平行金屬導(dǎo)軌固定在斜面上,導(dǎo)軌一端接入阻值為R的定值電阻,t=0時(shí),質(zhì)量為m的金屬棒由靜止開(kāi)始沿導(dǎo)軌下滑,t=T時(shí),金屬棒的速度恰好達(dá)到最大值vm,整個(gè)裝置處于垂直斜面向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,已知金屬棒與導(dǎo)軌間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,金屬棒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中始終與導(dǎo)軌垂直且接觸良好,金屬棒及導(dǎo)軌的電阻不計(jì),下列說(shuō)法正確的是( )
A. 時(shí),金屬棒的速度大小為
B. 0~T的過(guò)程中,金屬棒機(jī)械能的減少量等于R上產(chǎn)生的焦耳熱
C. 電阻R在0~內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱小于~T內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱
D. 金屬棒0~內(nèi)機(jī)械能的減少量大于~T內(nèi)機(jī)械能的減少量
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】下列說(shuō)法正確的是_________(填正確答案標(biāo)號(hào)。選對(duì)1個(gè)得2分,選對(duì)2個(gè)得4分,選對(duì)3個(gè)得5分,每選錯(cuò)1個(gè)扣3分,最低得分為0分)
A.理想氣體吸熱后溫度一定升高
B.可視為理想氣體的相同質(zhì)量和溫度的氫氣與氧氣相比,平均動(dòng)能一定相等,內(nèi)能定不相等
C.某理想氣體的摩爾體積為V0,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則該理想氣體單個(gè)的分子體積為
D.甲、乙兩個(gè)分子僅在分子力的作用下由無(wú)窮遠(yuǎn)處逐漸靠近直到不能再靠近的過(guò)程中,分子引力與分子斥力都增大,分子勢(shì)能先減小后增大
E.擴(kuò)散現(xiàn)象與布朗運(yùn)動(dòng)都能說(shuō)明分子在永不停息地運(yùn)動(dòng)
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