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如圖所示的裝置．先將斜槽軌道的末端調整水平，在一塊平整的木板表面釘上白紙和復寫紙．將該木板豎直立于水平地面上，使小球從斜槽上緊靠擋板處由靜止釋放，小球撞到木板并在白紙上留下痕跡A；將木板向遠離槽口平移距離x，再使小球從斜槽上緊靠擋板處由靜止釋放，小球撞在木板上得到痕跡B；又將木板再向遠離槽口平移距離x，小球再從斜槽上緊靠擋板處由靜止釋放，再得到痕跡C．若測得木板每次移動距離x=10.00cm，A、B間距離y1=5.02cm，B、C間距離y2=14.82cm．請回答以下問題（g=9.80m/s2）
質量為m的小物塊，從離桌面高H處由靜止下落，桌面離地面高為h，如圖所示．如果以桌面為參考平面，那么小物塊落地時的重力勢能及整個過程中重力勢能的變化分別是（ ）
某同學利用重錘做自由落體運動驗證機械能守恒定律的實驗
一輕質彈簧，兩端連接兩滑塊A和B，已知mA=0.99kg，mB=3kg，放在光滑水平桌面上，開始時彈簧處于原長．現滑塊A被水平飛來的質量為mc=10g，速度為400m/s的子彈擊中，且沒有穿出，如圖所示，試求：
在研究某些物理問題時，有很多物理量難以直接測量，我們可以根據物理量之間的定量關系和各種效應，把不容易測量的物理量轉化成易于測量的物理量．載流導體板垂直置于勻強磁場中，當電流通過導體板時，在導體板這兩個表面之間就會形成穩(wěn)定的電勢差，這種現象稱為霍爾效應．利用霍爾效應可以測量磁場的磁感應強度．半導體材料硅中摻砷后成為N型半導體，它的自由電子的濃度大大增加，導電能力也大大增加．一塊N型半導體的樣品的體積為a?b?c，A′、C、A、C′為其四個側面，如圖所示．已知半導體樣品單位體積中的電子數為n，電子的電荷量為e．將半導體樣品放在勻強磁場中，磁場方向沿Z軸正方向，并沿x方向通有電流I．試分析求解：
如圖所示，光滑的水平面上，小球m在拉力F作用下做勻速圓周運動，若小球到達P點時F突然發(fā)生變化，下列關于小球運動的說法正確的是（ �。�