短周期非金屬元素X和Y能形成XY2型化合物，下列有關(guān)XY2的判斷不正確的是(　　)

A．XY2一定是分子晶體

B．XY2的電子式可能是

C．XY2水溶液不可能呈堿性

D．X可能是ⅣA、ⅤA或ⅥA族元素。

兩種元素原子的核外電子層數(shù)之比與最外層電子數(shù)之比相等，則在周期表前10號(hào)元素中，滿(mǎn)足上述關(guān)系的元素共有(　　)

A．1對(duì)　　　B．2對(duì) C．3對(duì) D．4對(duì)

下列關(guān)于σ鍵和π鍵的理解不正確的是(　　)

A．σ鍵能單獨(dú)形成，而π鍵一定不能單獨(dú)形成

B．σ鍵可以繞鍵軸旋轉(zhuǎn)，π鍵一定不能繞鍵軸旋轉(zhuǎn)

C．雙鍵中一定有一個(gè)σ鍵、一個(gè)π鍵，三鍵中一定有一個(gè)σ鍵、兩個(gè)π鍵

D．氣體單質(zhì)中一定存在σ鍵，可能存在π鍵

用VSEPR模型預(yù)測(cè)下列分子或離子的立體結(jié)構(gòu)，其中不正確的是(　　)

A．NH4+為正四面體形 B．CS2為直線(xiàn)形

C．HCN為折線(xiàn)形(V形) D．PCl3為三角錐形

下列有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的說(shuō)法中，正確的是(　　)

A．元素非金屬性Cl>S的實(shí)驗(yàn)依據(jù)是酸性HCl>H2S。

B．碳元素的電負(fù)性小于氧元素，每個(gè)CO2分子中有4個(gè)σ鍵

C．同周期主族元素的原子形成的簡(jiǎn)單離子的電子層結(jié)構(gòu)一定相同

D．Na、Mg、Al三種元素，其第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>Mg>Al>Na

NH3、H2O等是極性分子，CO2、BF3、CCl4等是極性鍵構(gòu)成的非極性分子。根據(jù)上述事實(shí)可推ABn型分子是非極性分子的經(jīng)驗(yàn)規(guī)律是(　　)

A．在ABn分子中A原子的所有價(jià)電子都參與成鍵

B．在ABn分子中A的相對(duì)原子質(zhì)量應(yīng)小于B的相對(duì)原子質(zhì)量

C．在ABn分子中每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)都相等

D．分子中不能含有氫原子

利用15N可以測(cè)定亞硝酸鹽對(duì)地下水質(zhì)的污染情況。

(1)下列說(shuō)法正確的是________。

A．14N與15N為同種核素

B．14N的第一電離能小于14C

C．15NH3與14NH3均能形成分子間氫鍵

D．CH315NH2與CH3CH214NH2互為同系物

(2)15N的價(jià)層電子排布圖為________；15NH4Cl的晶胞與CsCl相同，則15NH4Cl晶體中15NH4+的配位數(shù)為________；15NH4+中15N的雜化軌道類(lèi)型為________。

(3)工業(yè)上電解法處理亞硝酸鹽的模擬工藝如圖。已知陽(yáng)極區(qū)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)：

2NO2—＋8H＋＋6Fe2＋=N2↑＋6Fe3＋＋4H2O

①陽(yáng)極電極反應(yīng)方程式是________(不考慮后續(xù)反應(yīng))；

②若硫酸溶液濃度過(guò)大，陰極區(qū)會(huì)有氣體逸出，該氣體為_______

(填化學(xué)式)；該現(xiàn)象表明c(H＋)越大，H＋氧化性越________；

③若電解時(shí)電路中有0.6 mol電子轉(zhuǎn)移，且NaNO2有剩余，則電解池中生成Na2SO4________mol。

A、B、C、D、E、F均為周期表中前四周期元素，其原子序數(shù)依次增大，其中A、B、C為短周期非金屬元素。A是形成化合物種類(lèi)最多的元素；B原子基態(tài)電子排布中只有一個(gè)未成對(duì)電子；C是同周期元素中原子半徑最小的元素；D的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多；E與D相鄰，E的某種氧化物X與C的氫化物的濃溶液加熱時(shí)反應(yīng)常用于實(shí)驗(yàn)室制取氣態(tài)單質(zhì)C；F與D的最外層電子數(shù)相等。

回答下列問(wèn)題(相關(guān)回答均用元素符號(hào)表示)：

(1)D的基態(tài)原子的核外電子排布式是______________。

(2)B的氫化物的沸點(diǎn)比C的氫化物的沸點(diǎn)________(填“高”或“低”)，原因是______________________。

(3)A的電負(fù)性________(填“大于”或“小于”)C的電負(fù)性，A形成的氫化物A2H4中A的雜化類(lèi)型是________。

(4) X在制取C單質(zhì)中的作用是________，C的某種含氧酸鹽常用于實(shí)驗(yàn)室中制取氧氣，此酸根離子中化學(xué)鍵的鍵角________(填“>”“＝”或“<”)109°28′。

(5)已知F與C的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則該化合物的化學(xué)式是__________________，若F與C原子最近的距離為a cm，則該晶體的密度為________g·cm－3(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA)。

太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。完成下列填空：

(1)亞銅離子(Cu＋)基態(tài)時(shí)的電子排布式為________；

(2)硒為第四周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?/span>________(用元素符號(hào)表示)，用原子結(jié)構(gòu)觀(guān)點(diǎn)加以解釋?zhuān)?/span>________。

(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù))，其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。BF3·NH3中B原子的雜化軌道類(lèi)型為________，B與N之間形成________鍵。

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個(gè)C原子周?chē)�最近�?/span>C原子數(shù)目為________。

Ⅰ.下列有關(guān)說(shuō)法正確的是________。

A．相同類(lèi)型的離子晶體，晶格能越大，形成的晶體越穩(wěn)定

B．手性催化劑只催化或者主要催化一種手性分子的合成

C．用金屬的電子氣理論能合理地解釋金屬易腐蝕的原因

D．H3O＋、NH4Cl和[Ag(NH3)2]＋中均存在配位鍵

Ⅱ.碳及其化合物在自然界中廣泛存在。

(1)基態(tài)碳原子的價(jià)電子排布圖可表示為________。

(2)第一電離能：碳原子________(填“>”“<”或“＝”)氧原子，原因是__________________________。

(3)冰晶胞中水分子的空間排列方式與金剛石晶胞類(lèi)似。每個(gè)冰晶胞平均占有________個(gè)水分子，冰晶胞與金剛石晶胞排列方式相同的原因是__________________________。

(4)C60的晶體中，分子為面心立方堆積，已知晶胞中C60分子間的最短距離為d cm，可計(jì)算C60晶體的密度為________g/cm3。

(5)請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)反應(yīng)方程式以表達(dá)出反應(yīng)前碳原子的雜化方式為sp2，反應(yīng)后變?yōu)?/span>sp3：________________________________。