A. | 二氧化硅和氫氧化鈉的熔化 | B. | 碘和干冰的升華 | ||
C. | 氯化氫和氯化鈉的溶解 | D. | 汞和硫的氣化 |
分析 根據(jù)離子晶體熔化克服離子鍵,原子晶體熔化克服共價(jià)鍵,金屬晶體熔化克服金屬鍵,分子晶體熔化或升華克服分子間作用力,以此來(lái)解答.
解答 解:A.二氧化硅和氫氧化鈉的熔化,分別破壞共價(jià)鍵、離子鍵,故A不選;
B.碘和干冰的升華,均破壞分子間作用力,故B選;
C.氯化氫和氯化鈉的溶解于水,分別破壞共價(jià)鍵、離子鍵,故C不選;
D.汞的氣化破壞金屬鍵,硫的氣化破壞分子間作用力,故D不選;
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體類(lèi)型及化學(xué)鍵,明確不同類(lèi)型的晶體在熔化時(shí)克服不同的作用力是解答本題的關(guān)鍵,題目難度不大,注意把握晶體類(lèi)型.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 甲烷和氯氣光照條件下反應(yīng) | B. | CH3CH2CHBrCH3發(fā)生消去反應(yīng) | ||
C. | 1,3-丁二烯與Br2發(fā)生加成反應(yīng) | D. | 乙烯和氯化氫發(fā)生加成反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 第三周期主族元素從左到右,氧化物對(duì)應(yīng)的水化物酸性依次增強(qiáng) | |
B. | H2O比H2S的穩(wěn)定性強(qiáng),是因?yàn)槠浞肿又g存在氫鍵 | |
C. | 金剛石呈正四面體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)、C60呈籠狀結(jié)構(gòu),這兩種晶體中微粒間的作用力不完全相同 | |
D. | NH4Cl屬于離子化合物,該物質(zhì)中只存在離子鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在沸騰爐中進(jìn)行的反應(yīng)為:4FeS2+11O2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2Fe2O3+8SO2 | |
B. | 制硫酸在吸收塔中是用水來(lái)吸收SO3 | |
C. | 氨催化氧化制硝酸過(guò)程中的三個(gè)主要反應(yīng)都屬于氧化還原反應(yīng) | |
D. | 硫酸工業(yè)、硝酸工業(yè)都需要對(duì)工業(yè)尾氣進(jìn)行處理 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
元素 | 部 分 性 質(zhì) |
W | 單質(zhì)是淡黃色固體 |
X | 在地殼中的含量居第二位 |
Y | 原子最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的$\frac{7}{17}$ |
Z | 第三周期原子半徑最小的金屬 |
A. | 第一電離能:Y>Z | |
B. | 離子半徑:W>Z | |
C. | X、Y形成的化合物XY4是離子化合物 | |
D. | 工業(yè)上利用電解熔融Z的氧化物生產(chǎn)Z金屬單質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
X | Y | ||
W | Z | ||
T |
A. | 氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:Y>W(wǎng)>X | |
B. | X、Y兩種元素形成的化合物只有兩種 | |
C. | 物質(zhì)WY2、W3X4、WZ4均有熔點(diǎn)高、硬度大的特性 | |
D. | T元素的單質(zhì)具有半導(dǎo)體的特性,T與Z元素可形成化合物TZ4 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Cu2S在反應(yīng)中既是氧化劑,又是還原劑 | |
B. | 該反應(yīng)的氧化劑只有Cu2O | |
C. | Cu既是氧化產(chǎn)物又是還原產(chǎn)物 | |
D. | 每生成19.2gCu,反應(yīng)中轉(zhuǎn)移1.8mol電子 |
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