下列晶體性質(zhì)的比較中不正確的是( )
A.熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅
B.沸點(diǎn):NH3>PH3
C.硬度:白磷>冰>二氧化硅
D.熔點(diǎn):SiI4>SiBr4>SiCl4
C [A項(xiàng)中三種物質(zhì)都是原子晶體,因原子半徑r(C)<r(Si),所以鍵長:C—C<C—Si<Si-Si,故鍵能:C—C>C—Si>Si—Si。鍵能越大,原子晶體的熔點(diǎn)越高,A項(xiàng)正確;因?yàn)镹H3分子間存在氫鍵,所以NH3的沸點(diǎn)大于PH3的沸點(diǎn),B項(xiàng)正確;二氧化硅是原子晶體,硬度大,白磷和冰都是分子晶體,硬度較小,C項(xiàng)錯(cuò)誤;鹵化硅為分子晶體,它們的組成和結(jié)構(gòu)相似,分子間不存在氫鍵,故相對分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高,D項(xiàng)正確。]
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
離子晶體通常具有的性質(zhì)是( )
A.熔、沸點(diǎn)都較高,難于揮發(fā)
B.硬度很小,容易變形
C.都能溶于有機(jī)溶劑而難溶于水
D.密度很小
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列敘述中錯(cuò)誤的是( )
A.離子鍵沒有方向性和飽和性,共價(jià)鍵有方向性和飽和性
B.配位鍵在形成時(shí),由成鍵雙方各提供一個(gè)電子形成共用電子對
C.金屬鍵的實(shí)質(zhì)是金屬中的“自由電子”與金屬陽離子形成的一種強(qiáng)烈的相互作用
D.金屬鍵中的“自由電子”為金屬陽離子共用
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
(1)將等徑圓球在二維空間里進(jìn)行排列,可形成密置層和非密置層。如圖所示的等徑圓球排列中,A屬于______________層,配位數(shù)是__________;B屬于________層,配位數(shù)是________。
(2)將非密置層一層一層地在三維空間里堆積,得到如圖C所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡單立方堆積。在這種晶體中,金屬原子的配位數(shù)是____________。
(3)有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有圖C所示的堆積方式。釙位于元素周期表的
________周期、________族,元素符號是________,價(jià)電子層的電子排布式是________。
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下列說法中正確的是( )
A.含有非極性共價(jià)鍵的化合物分子一定是非極性分子
B.原子晶體中只存在非極性共價(jià)鍵
C.冰主要是水分子通過氫鍵作用而形成的分子晶體
D.若元素R的含氧酸的酸性大于元素Q的含氧酸的酸性,則非金屬性R大于Q
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列分子的空間構(gòu)型是正四面體形的是( )
①CH4、贜H3 ③CF4、躍iH4 ⑤C2H4、轈O2
A.①②③ B.①③④
C.②④⑤ D.①③⑤
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
以下有關(guān)苯分子結(jié)構(gòu)的說法,錯(cuò)誤的是( )
A.苯分子中每個(gè)碳原子的原子軌道都發(fā)生sp2雜化,形成夾角為120°的三個(gè)sp2雜化軌道
B.每個(gè)碳原子的一個(gè)sp2雜化軌道采用“肩并肩”的方式重疊,形成一個(gè)大π鍵
C.苯分子中存在6個(gè)C—C σ鍵和6個(gè)C—H σ鍵
D.乙烷、乙烯、乙炔分子中,碳原子軌道雜化方式和苯相同的只有乙烯
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下列關(guān)于離子鍵的特征的敘述中,正確的是( )
A.一種離子對帶異性電荷離子的吸引作用與其所處的方向無關(guān),故離子鍵無方向性
B.因?yàn)殡x子鍵無方向性,故陰、陽離子的排列是沒有規(guī)律的,隨意的
C.因?yàn)槁然c的化學(xué)式是NaCl,故每個(gè)Na+周圍吸引一個(gè)Cl-
D.因?yàn)殡x子鍵無飽和性,故一種離子周圍可以吸引任意多個(gè)帶異性電荷的離子
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