GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。下列說法不正確的是

A.Ga和As的最外層電子數(shù)分別是3和5

B.GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別為+3和-3

C.N、P、As氫化物的沸點(diǎn)依次升高

D.Ga的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物堿性較Al(OH)3強(qiáng)

C  A項(xiàng)正確，Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族，所以Ga和As的最外層電子數(shù)分別是3和5；B項(xiàng)正確，GaAs中Ga是金屬元素，體現(xiàn)正化合價(jià)，為+3價(jià)，而As是-3價(jià)；C項(xiàng)錯(cuò)誤，第ⅤA族中N元素的氫化物分子之間可以形成氫鍵，其沸點(diǎn)反常得高；D項(xiàng)正確，Ga的金屬性強(qiáng)于Al，所以Ga的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物堿性較Al(OH)3強(qiáng).

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2012?許昌三模）[化學(xué)--選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]砷（As）是一種重要的化學(xué)元素，其可形成多種用途廣泛的化合物．
（1）寫出基態(tài)砷原子的電子排布式
[Ar]3d104s24p3
[Ar]3d104s24p3
；砷與溴的電負(fù)性相比，較大的是
Br（或溴）
Br（或溴）
．
（2）砷（As）的氫化物與同族第二、三周期元素所形成的氫化物的穩(wěn)定性由大到小的順
序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示）
NH3＞PH3＞AsH3
NH3＞PH3＞AsH3
；氫化物的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示）
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
．
（3）Na3AsO4可作殺蟲劑．AsO
 
3-
4
的空間構(gòu)型為
正四面體形
正四面體形
．As原子采取
sp3
sp3
雜化．
（4）某砷的氧化物俗稱“砒霜”，其分子結(jié)構(gòu)如右圖所示．該化合物的分子式為
As4O6
As4O6
．
（5）GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似．GaAs晶胞中含有
4
4
個(gè)砷原子．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機(jī)鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
，As的原子結(jié)構(gòu)示意圖
．
（2）Ga的原子核外電子排布式為：
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．
（3）GaCl3和AsF3的空間構(gòu)型分別是：GaCl3
平面三角形
平面三角形
，AsF3
三角錐形
三角錐形
．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC，其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，則SiC屬于
原子
原子
晶體，并寫出其主要的物理性質(zhì)
硬度大、熔點(diǎn)高
硬度大、熔點(diǎn)高
  （任2種）．
（5）第一電離能：As
＞
＞
Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化鋅的晶胞中（結(jié)構(gòu)如圖所示），硫離子的配位數(shù)是
4
4
．
（7）二氧化硒分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
，寫出它的1個(gè)等電子體的分子式
O3（或SO2）
O3（或SO2）
．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是：Ga________價(jià)、As________價(jià)。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是：Ga________價(jià)、As________價(jià)。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機(jī)鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子結(jié)構(gòu)示意圖______．
（2）Ga的原子核外電子排布式為：______．
（3）GaCl3和AsF3的空間構(gòu)型分別是：GaCl3______，AsF3______．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC，其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，則SiC屬于______晶體，并寫出其主要的物理性質(zhì)______  （任2種）．
（5）第一電離能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化鋅的晶胞中（結(jié)構(gòu)如圖所示），硫離子的配位數(shù)是______．
（7）二氧化硒分子的空間構(gòu)型為______，寫出它的1個(gè)等電子體的分子式______．
精英家教網(wǎng)

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案