Question

已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序數(shù)依次增加，A焰色反應呈黃色；工業(yè)常用電解B的熔融的氯化物來制備B，C是一種能被HF和NaOH溶液溶解的單質，D的電負性比磷大，第一電離能卻比磷小，E單質是制備漂白液的原料，F(xiàn)能形成紅色(或磚紅色)和黑色的兩種氧化物，G是一種主族金屬。

（1）前四周期所有元素中，基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有 種。

（2）元素A、B、C分別與氟氣化合形成物質X、Y、Z熔點見下表：

氟化物	X	Y	Z
熔點/K	1266	1534	183

解釋表中氟化物熔點差異的原因： 。

（3）已知常溫條件下，極性分子DOE2是一種液態(tài)化合物，中心原子D的雜化方式是 。向盛有10mL水的錐形瓶中滴加少量的DOE2溶液，生成兩種有刺激性氣味的氣體。請書寫此反應的化學方程式 。

（4）G與氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。G原子的價電子排布式為 。在該合成材料中，與同一個G原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體。在四種基本晶體類型中，此晶體屬于 晶體。

（5）F晶體的堆積方式是 (填堆積名稱)，其配位數(shù)為 。 向F的硫酸鹽溶液中滴加氨水直至過量，寫出此過程所涉及的兩個離子方程式 根據價層電子對互斥理論，預測SO42-的空間構型為 。

 

Answer 1

（1）5(1分)

（2）NaF和MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，(1分) MgF2的晶格能大于NaF(1分)　�。�3）SP3(1分) SOCl2 + H2O = SO2↑+ 2HCl↑(2分)

（4）4s2p1(1分)，原子(1分)

（5）面心立方最密堆積(1分)， 12(1分)， Cu2+ + 2NH3·H2O = Cu(OH)2↓+ 2NH4+(2分)Cu(OH)2 + 4NH3·H2O = [Cu(NH3)4]2+ + 4H2O + 2OH-(或將NH3·H2O寫成NH3)(2分)， 正四面體(1分)

【解析】

試題分析：A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序數(shù)依次增加，A焰色反應呈黃色是Na；工業(yè)常用電解B的熔融的氯化物來制備B，是Mg；C是一種能被HF和NaOH溶液溶解的單質，是Si；D的電負性比磷大，第一電離能卻比磷小，是S；E單質是制備漂白液的原料，為Cl；F能形成紅色(或磚紅色)和黑色的兩種氧化物，為Cu；G是一種主族金屬。

（1）前四周期所有元素中，基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有1s1，2s22p2或2s22p4，3s23p3，3d64s2(注意根據洪特規(guī)則3d44s2是3d54s1)，共5種。

（2）元素Na、Mg、Si分別與氟氣化合形成物質X(NaF)、Y(MgF2)、Z(SiF4)熔點NaF和MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，MgF2的晶格能大于NaF。

（3）已知常溫條件下，極性分子SOCl2是一種液態(tài)化合物，中心原子S有價層電子4對，雜化方式是SP3。向盛有10mL水的錐形瓶中滴加少量的SOCl2溶液，生成兩種有刺激性氣味的氣體為水解，即SO2和HCl。

（4）G與氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。物質分子式是GN，G為+3價，在Cu之后，故是G原子的價電子排布式為4s2p1。在該合成材料中，與同一個G原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體。在四種基本晶體類型中，此晶體屬于原子晶體。

（5）Cu晶體的堆積方式是面心立方最密堆積，其配位數(shù)為12。 向CuSO4溶液中滴加氨水直至過量，Cu2+先生成Cu(OH)2沉淀，在溶解為[Cu(NH3)4]2+，根據價層電子對互斥理論，SO42-的價層電子為4對，空間構型為正四面體。

考點：物質結構與性質。