Question

用于無(wú)線電技術(shù)的集成微電路是極薄的一層高純單晶硅，在其上借腐蝕的方法“刻”出條紋．高純硅是由用二氧化硅制得的甲硅烷生成．
（1）試提出制高純硅的方法，寫出相應(yīng)的反應(yīng)方程式

 

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（2）試指出幾個(gè)所制得硅的物理提純方法

 

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Answer 1

考點(diǎn)：硅和二氧化硅

專題：碳族元素

分析：（1）二氧化硅在還原劑作用下還原，然后與酸反應(yīng)生成甲硅烷，甲硅烷分解生成硅；
（2）工業(yè)上制得硅的物理提純方法有：區(qū)域熔煉法；由熔融體拉成單晶．

解答： 解：（1）二氧化硅在還原劑作用下還原，然后與酸反應(yīng)生成甲硅烷，甲硅烷分解生成硅，方法①SiO₂+4Mg=Mg₂Si+2MgO（雜質(zhì) Si） Mg₂Si+4NH₄Br=SiH₄+MgBr₂+4NH₃（在液氨中） Mg₂Si+2H₂SO₄=SiH₄+2MgSO₄（在水中） SiH₄=Si+2H₂，故答案為：SiO₂+4Mg=Mg₂Si+2MgO（雜質(zhì) Si） Mg₂Si+4NH₄Br=SiH₄+MgBr₂+4NH₃（在液氨中） Mg₂Si+2H₂SO₄=SiH₄+2MgSO₄（在水中） SiH₄=Si+2H₂；
（2）工業(yè)上制得硅的物理提純方法有：區(qū)域熔煉法；由熔融體拉成單晶，故答案為：區(qū)域熔煉法；由熔融體拉成單晶．

點(diǎn)評(píng)：本題考查硅的工業(yè)制法和物理提純的方法，題目結(jié)合氧化還原的知識(shí)分析解答，有一定的難度．