下列有關(guān)晶體的堆積的敘述中,不正確的是(   )

A.緊密堆積能增大晶粒的配位數(shù)

B.緊密堆積能增大晶體的密度

C.緊密堆積能增大晶體的能量

D.所有的分子晶體都采用緊密堆積方式

解析:晶體采用緊密堆積能增大晶體的配位數(shù)和密度,并使晶體的能量降低,A、B兩項(xiàng)敘述正確,C項(xiàng)敘述錯(cuò)誤。晶體采用緊密堆積的前提條件是組成晶體的粒子結(jié)合成晶體的作用力沒有方向性和飽和性,分子晶體中的冰是利用具有方向性和飽和性的氫鍵結(jié)合形成的,不采用緊密堆積原理,D項(xiàng)敘述錯(cuò)誤。

答案:CD

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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是( �。�
A、在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵B、在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子C、NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl-有6個(gè)D、CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl-有8個(gè)

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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆福建省晉江市高二上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷 題型:選擇題

下列有關(guān)晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是(     )

A.在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵

B.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子

C.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl—有6個(gè);

D.CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl—有8個(gè)

 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是(    )

A.在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵

B.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子

C.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl—有6個(gè);

D.CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl—有8個(gè)

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年福建省晉江市季延中學(xué)高二上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷 題型:單選題

下列有關(guān)晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是(    )

A.在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵
B.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
C.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl—有6個(gè);
D.CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl—有8個(gè)

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