分析 由元素所在周期表中的位置可知,a為H,b為Li,c為C,d為N,e為O,f為F,g為Na,h為Mg,i為Al,j為Si,k為S,l為Cl,m為Ar,n為K,o為Fe,
(1)由元素所在周期表中的位置可知,O位于第四周期ⅤⅢ族第一列,O為Fe,外圍電子排布式3d64s2;
(2)SiC和晶體Si均屬于原子晶體,原子晶體的熔沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)度,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高;
(3)根據(jù)白磷分子的空間構(gòu)型判斷含有的共價(jià)鍵數(shù)目;白磷含有6個(gè)共價(jià)鍵,可形成化合物P4O10;
(4)①該類型為面心立方堆積,配位數(shù)=3×$\frac{1}{2}$×8=12,由圖2可知占據(jù)頂點(diǎn)和面心,則一個(gè)晶胞中Al原子的個(gè)數(shù)為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4;
②根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$計(jì)算.
解答 解:(1)由元素所在周期表中的位置可知,O位于第四周期ⅤⅢ族第一列,O為Fe,外圍電子排布式3d64s2,
故答案為:3d64s2;
(2)SiC和晶體Si均屬于原子晶體,原子晶體的熔沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)度,由于C原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高,
故答案為:SiC; 因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高;
(3)白磷為空心正四面體結(jié)構(gòu),鍵角為60°,每個(gè)P原子與3個(gè)P原子結(jié)合成共價(jià)鍵,每個(gè)分子中含有6個(gè)共價(jià)鍵,若將1分子白磷中的所有P-P鍵打開并各插入一個(gè)氧原子,共可結(jié)合6個(gè)O原子,若每個(gè)P原子上的孤對(duì)電子分別再以配位鍵連接一個(gè)氧原子,還可結(jié)合4個(gè)O原子,則可形成化合物P4O10,
故答案為:60°;正四面體;3;6;P4O10;
(4)①根據(jù)圖片知,Al單質(zhì)為面心立方堆積,Al原子配位數(shù)配位數(shù)=3×$\frac{1}{2}$×8=12,由圖2可知占據(jù)頂點(diǎn)和面心,則個(gè)數(shù)為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,
故答案為:面心立方堆積;12;4;
②Al原子半徑為d,則晶胞邊長=2$\sqrt{2}$d,晶胞體積V=(2$\sqrt{2}$d)3,每個(gè)晶胞中Al原子個(gè)數(shù)為4,則密度為ρ,$\frac{M}{NA}$=$\frac{ρ(2\sqrt{2}d)^{3}}{4}$,解得ρ=$\frac{M}{4\sqrt{2}lxbjtfb^{3}NA}$,
故答案為:$\frac{M}{4\sqrt{2}ntjjhvv^{3}NA}$.
點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),涉及元素周期表、核外電子排布規(guī)律、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體類型與性質(zhì)等,難度中等,側(cè)重考查學(xué)生對(duì)知識(shí)運(yùn)用、分析解決問題能力,注意利用“均攤法”的計(jì)算.
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主族 周期 | ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | 0族 |
2 | ① | ② | ③ | |||||
3 | ④ | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ⑧ | |||
4 | ⑨ |
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A. | 鉑是非金屬元素,在常溫下呈固態(tài) | B. | “78”是鉑的原子序數(shù) | ||
C. | “195.1”是鉑的質(zhì)量數(shù) | D. | 鉑的名稱為Pt |
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A. | 可用濃硝酸洗去銀鏡 | |
B. | 向2%的稀氨水中滴入2%的硝酸銀溶液,配得銀氨溶液 | |
C. | 采用水浴加熱,也可以直接加熱 | |
D. | 試管先用熱NaCl溶液洗滌,然后用蒸餾水洗滌 |
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