Question

下列說法正確的是（　�。�

• A、第一電離能大�。篠＞P＞Si
• B、電負(fù)性順序：C＜N＜O＜F
• C、因?yàn)榫Ц衲蹸aO比KCl高，所以KCl的熔點(diǎn)比CaO熔點(diǎn)低
• D、分子晶體中，共價(jià)鍵鍵能越大，該分子晶體的熔沸點(diǎn)越高

Answer 1

分析：A．P原子核外最外層原子軌道為半充滿狀態(tài)，第一電離能大于相鄰元素；
B．同周期元素從左到右，電負(fù)性逐漸增強(qiáng)；
C．離子晶體的晶格能越大，晶體的熔點(diǎn)越高；
D．分子晶體的熔沸點(diǎn)高低與共價(jià)鍵無關(guān)．

解答：解：A．P原子核外最外層原子軌道為半充滿狀態(tài)，第一電離能大于相鄰元素，應(yīng)為P＞S，故A錯(cuò)誤；
B．同周期元素從左到右，電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，故B正確；
C．離子晶體的晶格能越大，晶體的熔點(diǎn)越高，故C正確；
D．分子晶體的熔沸點(diǎn)高低取決于分子間作用力的大小，與共價(jià)鍵無關(guān)，故D錯(cuò)誤．
故選BC．

點(diǎn)評(píng)：本題考查較為綜合，涉及電荷性、第一電離能、晶體的熔沸點(diǎn)比較，為高頻考點(diǎn)，側(cè)重于學(xué)生的分析能力的考查，注意相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累，難度不大．