11．存放食品和藥品的包裝盒中�？砂l(fā)現(xiàn)一些袋裝透明膠狀顆粒，該顆粒材料可能的名稱(chēng)及其作用是（　　）
A．活性炭、吸附劑B．KMnO4、氧化劑C．氯化鈉、干燥劑D．硅膠、干燥劑

分析 空氣中有水蒸氣、氧氣，存放食品和藥品易和空氣中的水蒸氣、氧氣反應(yīng)變質(zhì)，存放食品和藥品的包裝盒中�？砂l(fā)現(xiàn)一些袋裝透明膠狀顆粒，該顆粒材料可能除去水蒸氣、氧氣，據(jù)此分析解答．

解答 解：A．活性炭不是透明膠狀顆粒，故A錯(cuò)誤；
B．KMnO4不是透明膠狀顆粒，不是干燥劑，故B錯(cuò)誤；
C．氯化鈉不具有吸水的特性，不能作為干燥劑使用，也不能吸收氧氣，故C錯(cuò)誤；
D．硅膠的主要成分為SiO2•nH2O，硅膠具有開(kāi)放的多孔結(jié)構(gòu)，吸附性強(qiáng)，能吸附多種物質(zhì)，常用作干燥劑、吸附劑，故D正確；
故選D．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了硅膠的結(jié)構(gòu)和用途，題目十分簡(jiǎn)單，平時(shí)學(xué)習(xí)注意基礎(chǔ)知識(shí)的掌握．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

1．某飽和一元醛和飽和一元酮的混合物共0.1mol，質(zhì)量為5.8g，此混合物和足量的銀氨溶液發(fā)生銀鏡反應(yīng)可析出8.64g銀，則該混合物中的醛是（　�。�
A．HCHOB．CH3CHOC．CH3CH2CHOD．CH3CH2CH2CHO

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

2．下列物質(zhì)屬于強(qiáng)電解質(zhì)的是（　�。�
A．CH3COOHB．BaSO4C．NH3H2OD．SO3

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

19．用惰性電極實(shí)現(xiàn)電解，下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．電解稀硫酸溶液，實(shí)質(zhì)上是電解水，故溶液的pH不變
B．電解稀氫氧化鈉溶液，要消耗OH-，故溶液的pH減小
C．電解氯化鉀溶液，在陰極上和陽(yáng)極上析出的產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為1：1
D．電解硫酸鈉溶液，在陰極上和陽(yáng)極上析出的產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為1：2

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

6．在一定溫度下，容積不變的密閉容器里，能說(shuō)明A（g）+3B（g）?2C（g）達(dá)到平衡狀態(tài)的標(biāo)志是（　�。�
A．單位時(shí)間生成nmol A的同時(shí)生成3n mol
B．B．容器內(nèi)壓強(qiáng)不隨時(shí)間的變化而變化
C．A，B，C的濃度相等的狀態(tài)
D．A，B，C的分子個(gè)數(shù)比為1：3：2

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

16．水的電離過(guò)程為H2O?H++OH-，在不同溫度下其平衡常數(shù)為：K（25℃）=1.0×10-14 mol2•L-2，K（35℃）=2.1×10-14 mol2•L-2．則下列敘述不正確的是（　�。�
A．純水的pH隨著溫度的升高而降低B．在35℃時(shí)，[H+]＞[OH-]
C．在25℃和35℃時(shí)，[H+]=[OH-]D．水的電離是吸熱的

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：填空題

3．有X、Y、Z三種單質(zhì)，X為金屬單質(zhì)，Y、Z為非金屬單質(zhì)，Y、Z通常情況下為氣態(tài)，Y、Z一定條件下反應(yīng)的產(chǎn)物溶于水可得無(wú)色溶液E，E能使紫色石蕊試液變紅，X與E反應(yīng)可生成Z和另一產(chǎn)物W，X、Y反應(yīng)的產(chǎn)物F溶于水為棕黃色溶液，將Y通入W溶液也可得到F的溶液．
（1）W的名稱(chēng)是氯化亞鐵．
（2）若往w溶液中滴入NaOH溶液，可產(chǎn)生沉淀，此沉淀在空氣中發(fā)生變化，現(xiàn)象是白色絮狀沉淀迅速變?yōu)榛揖G色，最終變?yōu)榧t褐色；化學(xué)反應(yīng)方程式為4Fe（OH）2+O2+2H2O=4Fe（OH）3．
（3）實(shí)驗(yàn)室制備Y的化學(xué)方程式為MnO2+4HCl $\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$MnCl2+Cl2↑+2H2O．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

20．高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料．

（1）硅元素位于周期表的位置第三周期第ⅣA族．下面有關(guān)硅材料的說(shuō)法中正確的是BCD（填字母）．
A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料---光導(dǎo)纖維
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，故在玻璃尖口點(diǎn)燃H2時(shí)出現(xiàn)黃色火焰
E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（2）工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅．已知：圖1
請(qǐng)將以下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式補(bǔ)充完整：SiO2（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=+638.4 kJ•mol-1
（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷（SiH4），硅烷分解生成高純硅．已知硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：C和Si最外層電子數(shù)相同，C原子半徑小于Si，Si元素的非金屬性弱于C元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷．
（4）將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl3），進(jìn)一步反應(yīng)也可制得高純硅．
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等雜質(zhì)對(duì)晶體硅的質(zhì)量有影響．根據(jù)下表數(shù)據(jù)，可用蒸餾（或分餾） 方法提純SiHCl3．
物質(zhì)SiHCl3SiCl4AsCl3
沸點(diǎn)/℃32.057.5131.6
②用SiHCl3制備高純硅的反應(yīng)為SiHCl3（g）+H2（g） $\stackrel{一定條件下}{?}$Si（s）+3HCl（g），不同溫度下，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時(shí)，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如圖所示．下列說(shuō)法正確的是ac（填字母序號(hào)）．

a．該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大 
 b．橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是$\frac{n（SiHC{l}_{3}）}{n（{H}_{2}）}$
c．實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率，應(yīng)適當(dāng)升高溫度
③整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式：SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

1．為了探究化學(xué)反應(yīng)中的能量變化，某同學(xué)設(shè)計(jì)了如下兩個(gè)實(shí)驗(yàn)．

（1）圖Ⅰ中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為Zn+2H+═Zn2++H2↑，實(shí)驗(yàn)中溫度計(jì)指示的溫度逐漸升高（填“升高”或“降低”），原因是鋅與稀硫酸反應(yīng)是放熱反應(yīng)．
（2）圖Ⅱ?qū)嶒?yàn)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象如下表，請(qǐng)完成相應(yīng)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的解釋?zhuān)?br />
實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象解釋原因
Cu片上產(chǎn)生了大量氣泡Zn、Cu構(gòu)成原電池，H+在Cu片上得電子產(chǎn)生氫氣
溫度計(jì)指示的溫度無(wú)明顯變化反應(yīng)中的化學(xué)能主要轉(zhuǎn)化成了電能
（3）若將圖中的Cu片替換為Al片，則Al片上的電極反應(yīng)式為Al-3e-═Al3．

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