某離子晶體的晶胞如圖所示，X原子位于立方體的頂點(diǎn)，Y原子位于立方體的中心。

(1)該晶體的化學(xué)式為___________。

(2)晶體中每個Y原子同時吸引著___________個X，每個X原子同時吸引著___________個Y原子。

(3)晶體中在每個X原子周圍與它最接近且距離相等的X原子共有___________個。

解析：(1)晶胞獨(dú)占位于立方體內(nèi)部的Y原子，完全占有的Y原子的個數(shù)為1。晶胞占有位于立方體頂點(diǎn)的X原子的，完全占有的X原子的個數(shù)為4×=0.5。綜合以上分析，可得該晶體的化學(xué)式為Y2X。 (2)觀察晶胞即可看出每個Y同時吸引著4個X。8個晶胞以立方體頂點(diǎn)某一X原子為中心能并置堆砌為上下兩層，選定的X原子吸引著上層的4個Y原子和下層的4個Y原子，總計(jì)同時吸引著8個Y原子。(3)將8個晶胞以立方體頂點(diǎn)某一X原子為中心能并置堆砌為上下兩層時，與選定的X原子最接近且距離相等的X原子有上、中、下三層，每一層都是4個X原子，總計(jì)12個X原子。

答案：(1)Y2X　(2)4　8　(3)12

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__     ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

鍵能/kJ·mol—1

360

436

431

176

已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：

SiCl4(g) + 2H2(g)高溫 Si(s) + 4 HCl(g)

則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
鍵能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆吉林省四校高二下學(xué)期期中聯(lián)考化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

某離子化合物的晶胞如圖所示立體結(jié)構(gòu)，晶胞是整個晶體中最基本的重復(fù)單位。陽離子位于此晶胞的中心，陰離子位于8個頂點(diǎn)，該離子化合物中，陰、陽離子個數(shù)比是 (     )

A. 1∶8           B. 1∶4      C. 1∶2           D. 1∶1

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012屆湖北省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__     ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

鍵能/kJ·mol—1

360

436

431

176

已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：

SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)

則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

 

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