Question

下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是（　�。�

• A、Na⁺  1s²2s²2p⁶
• B、O^2-  1s²2s²2p⁶
• C、Si   1s²2s²2p²
• D、Al  1s²2s²2p⁶3s²3p¹

Answer 1

考點：原子核外電子排布

專題：原子組成與結構專題

分析：原子核外電子排布應符合構造原理、能量最低原理、洪特規(guī)則和泡利不相容原理，一般來說離子的核外最外層達到8電子穩(wěn)定結構，根據(jù)構造原理，s能級最多可容納2個電子，p能級有3個軌道最多可容納6個電子，電子總是優(yōu)先從能量低的能層、能級排列，其中s²是原子得兩個電子形成的穩(wěn)定的結構，所以第三能層中的電子排布最多應為3s²3p⁶，據(jù)此分析解答．

解答： 解：A．Na的原子序數(shù)為11，離子的核外電子排布式為1s²2s²2p⁶，最外層達到8電子穩(wěn)定結構，故A正確；
B．O原子核外有8個電子，O^2-核外電子排布式為1s²2s²2p⁶，最外層達到8電子穩(wěn)定結構，故B正確；
C．Si原子核外有14個電子，核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p²，故C錯誤；
D．Al原子核外有13個電子，Al原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p¹，故D正確；
故選C．

點評：本題考查了原子或離子核外電子排布，明確排布規(guī)律及其規(guī)則是解本題關鍵，為考試熱點，知道每個能級最多排列的電子數(shù)，要遵循構造原理，題目難度不大．