A、小于15W

B、等于15W

C、大于15W

D、不能確定

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巨磁電阻效應(yīng)
1988年阿爾貝?費(fèi)爾和彼得?格林貝格爾發(fā)現(xiàn)，在鐵、鉻相間的三層復(fù)合膜電阻中，微弱的磁場(chǎng)可以導(dǎo)致電阻大小的急劇變化，這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應(yīng)”．
更多的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應(yīng)”．組成三層膜的兩種金屬中，有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種，另一種是不易被磁化的其他金屬，才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應(yīng)”．
進(jìn)一步研究表明，“巨磁電阻效應(yīng)”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時(shí)．用R₀表示未加磁場(chǎng)時(shí)的電阻，R表示加入磁場(chǎng)后的電阻，科學(xué)家測(cè)得鐵、鉻組成的復(fù)合膜R與R₀之比與膜層厚度d（三層膜厚度均相同）的關(guān)系如圖所示．

1994年IBM公司根據(jù)“巨磁電阻效應(yīng)”原理，研制出“新型讀出磁頭”，將磁場(chǎng)對(duì)復(fù)合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來(lái)讀取信息．
（1）以下兩種金屬組成的三層復(fù)合膜可能發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”的是．
A．銅、銀；B．鐵、銅；C．銅、鋁；D．鐵、鎳．
（2）對(duì)鐵、鉻組成的復(fù)合膜，當(dāng)膜層厚度是1.7nm時(shí)，這種復(fù)合膜電阻（選填“具有”或“不具有”）“巨磁電阻效應(yīng)”．
（3）“新型讀出磁頭”可將微弱的信息轉(zhuǎn)化為電信息．
（4）鐵、鉻組成的復(fù)合膜，發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”時(shí)，其電阻R比未加磁場(chǎng)時(shí)的電阻R₀（選填“大”或“小”）得多．
（5）如圖是硬盤某區(qū)域磁記錄的分布情況，其中1表示有磁區(qū)域，0表示無(wú)磁區(qū)域．將“新型讀出磁頭”組成如圖所示電路，當(dāng)磁頭從左向右勻速經(jīng)過(guò)該區(qū)域過(guò)程中，電流表讀數(shù)變化情況應(yīng)是下圖中的．

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