在反應(yīng)碳+二氧化硅硅+一氧化碳中,對氧化劑和還原反應(yīng)的敘述正確的是

[　　]

A.碳是氧化劑，二氧化硅發(fā)生了還原反應(yīng)

B.二氧化硅發(fā)生了還原反應(yīng)，是氧化劑

C.碳是氧化劑，二氧化硅發(fā)生了氧化反應(yīng)

D.碳發(fā)生還原反應(yīng)，二氧化硅是氧化劑

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：初中化學 來源： 題型：

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．工業(yè)上通過以下反應(yīng)將自然界的二氧化硅（SiO2）轉(zhuǎn)化為硅：
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑．下列分析正確的是（　�。�
A、二氧化硅是還原劑
B、該反應(yīng)屬于分解反應(yīng)
C、該反應(yīng)屬于置換反應(yīng)
D、碳的化合價在反應(yīng)前后沒變

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科目：初中化學 來源： 題型：

硅是一種良好的半導(dǎo)體材料．工業(yè)上用碳在高溫下還原二氧化硅的方法可制得硅，同時
還有一氧化碳生成．下列說法中正確的是（　　）
①工業(yè)上制硅的反應(yīng)方程式為：SiO2+2C 
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
②上述反應(yīng)屬置換反應(yīng)
③碳在反應(yīng)中表現(xiàn)出還原性
④碳的非金屬活潑性比硅強．
A、僅①②B、僅②③
C、僅①②③D、①②③④

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科目：初中化學 來源： 題型：

硅（Si）是一種良好的半導(dǎo)體材料．工業(yè)上用碳在高溫下還原二氧化硅的方法可制得硅，同時還有一氧化碳生成．下列說法中不正確的是（　�。�

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科目：初中化學 來源： 題型：

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時得到一種可燃性氣態(tài)；
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3（Si+3HCl=SiHCl3+H2）
③SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，已知SiHCl3能與水強烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請回答：
（1）第一步制取軌的化學方程式
2C+SiO2
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
2C+SiO2
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點57.6℃），提純SiHCl3可采用
蒸餾
蒸餾
的方法．
（3）實驗室用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示（加熱和夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
，裝置C需水浴加熱，目的是
使SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng)
使SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng)
．
②反應(yīng)一段時間后，裝置D中可觀察到有晶體硅生成，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化
SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化
，D中發(fā)生的反應(yīng)的化學方程式是
SiHCl3+H2=Si+3HCl
SiHCl3+H2=Si+3HCl
．
③為保證實驗的成功，操作的關(guān)鍵除題中已告知的之外，你認為最重要的還有：
裝置要嚴密
裝置要嚴密
，
控制好溫度
控制好溫度
．（答出兩點）

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